漏源电压(Vdss) | 20V | 连续漏极电流(Id)(25°C 时) | 2.8A |
栅源极阈值电压 | 1V @ 250uA | 漏源导通电阻 | 56mΩ @ 2A,4.5V |
最大功率耗散(Ta=25°C) | 430mW | 类型 | N沟道 |
FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET(金属氧化物) |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 2.8A(Ta) | 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 1.5V,4.5V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 56 毫欧 @ 2A,4.5V | 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 1V @ 250µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 5.4nC @ 4.5V | Vgs(最大值) | ±12V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 400pF @ 10V | 功率耗散(最大值) | 430mW(Ta) |
工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) | 安装类型 | 表面贴装型 |
供应商器件封装 | SOT-323 | 封装/外壳 | SC-70,SOT-323 |
DMN2065UW-7 是一款高性能的 N 沟道 MOSFET 场效应管,专为低电压高效能应用而设计,具有出色的导通性能和热管理能力。该器件适合在各种电子电路中作为开关组件,如开关电源、马达驱动、LED 驱动及其他功率控制应用。
DMN2065UW-7 MOSFET 适用于多种应用场景,其卓越的电气性能,尤其是低导通电阻,使其在高频开关和功率管理中表现出色。适合的具体应用包括:
DMN2065UW-7 的设计考虑了优异的开关速度和良好的栅极驱动性能,其低导通电阻和低栅电荷意味着在快速开关过程中,能有效降低开关损耗。同时,器件具备宽广的工作温度范围,能够在严苛的环境条件下稳定工作。
DMN2065UW-7 采用 SOT-323 表面贴装封装,具有小巧的体积与良好的散热性能,使其在空间有限的电路板上易于集成。
DMN2065UW-7 由 DIODES(美台) 生产,凭借优良的质量控制和高效的生产工艺,该器件在市场上具有较强的竞争优势。无论是在性能稳定性、温度适应性还是在工业标准管控方面,DMN2065UW-7 都能满足客户的高标准需求。
作为一款功能强大且灵活的 N 沟道 MOSFET,DMN2065UW-7 是为要求高效率、快速开关和强可靠性的应用而设计的理想选择。无论是在工业设备、电源配件还是消费电子产品中,其优秀的电气特性及应用广泛性使其成为了现代电子设计中不可或缺的组件。