DMN2016UTS-13
DMN2016UTS-13参数
| 漏源电压（Vdss） | 20V | 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 8.58A |
| 栅源极阈值电压 | 1V @ 250uA | 漏源导通电阻 | 14.5mΩ @ 9.4A,4.5V |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 880mW | 类型 | 双N沟道 |
| FET 类型 | 2 N 沟道（双）共漏 | FET 功能 | 逻辑电平门 |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 8.58A | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 14.5 毫欧 @ 9.4A，4.5V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 1V @ 250µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 16.5nC @ 4.5V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 1495pF @ 10V | 功率 - 最大值 | 880mW |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | 8-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽） | 供应商器件封装 | 8-TSSOP |
DMN2016UTS-13手册
DMN2016UTS-13概述
产品概述：DMN2016UTS-13
简介
DMN2016UTS-13是一款高性能的双N沟道场效应管(MOSFET)，设计用于提供良好的开关性能和低导通损耗，适合广泛的电子应用场合。此器件由DIODES(美台)生产，采用表面贴装类型（SMD），封装形式为8-TSSOP，具有紧凑的尺寸，方便在要求空间小的电路板上使用。
基本参数
DMN2016UTS-13的首要电气特性包括漏源电压（Vdss）为20V，连续漏极电流（Id）在25°C时能够达到8.58A。对于电源管理、驱动电路及其他需要高电流的应用场景，这种电流处理能力表明了它的强大性能。此外，其漏源导通电阻（RDS(on)）低至14.5mΩ @ 9.4A, 4.5V，显示出其在高电流下的高效性，有效降低了功耗并提高了热管理能力。
电气特性
栅源极阈值电压（Vgs(th)）
DMN2016UTS-13的栅源极阈值电压为1V @ 250µA，意味着在低电压信号下，该器件可以快速启动，适合逻辑电平驱动，从而提高电路的响应速度，特别适合低电压应用。导通电阻（RDS(on)）
该器件在较高的漏极电流下具有极低的导通电阻，这使得其在高效能电源转换、负载驱动等领域表现优秀。14.5mΩ的值在相对较宽的电流范围内保持不变，有助于减小功率损耗。输入电容 (Ciss)
输入电容为1495pF @ 10V，提供良好的开关速率，让该MOSFET能够在快速切换过程中保持较低的损耗，有助于提高电源转换效率。栅极电荷 (Qg)
栅极电荷为16.5nC @ 4.5V，这表明了其在驱动上的相对低功耗和加强的开关性能，适合高频应用。
应用场景
DMN2016UTS-13适用于多种应用，包括：
- 开关电源
- DC-DC 转换器
- 电机驱动电路
- 负载开关
- 流量控制系统
- 数据通信设备
由于其良好的热管理能力（最大功率耗散为880mW）和宽广的工作温度范围（-55°C ~ 150°C），该器件能够在严苛环境下可靠运行，进一步扩展了它的应用场合。
封装与安装
该MOSFET采用TSSOP-8封装，尺寸为0.173"（4.40mm宽），使其适合现代紧凑型电子设备的使用需求。其表面贴装格式有助于在复杂的电路板上实现更高的密度和更精简的设计。
总结
DMN2016UTS-13以其卓越的电气性能和广泛的适用性，成为当今电子设计中不可或缺的元器件之一。无论是在消费电子、工业设备还是汽车电子应用，DMN2016UTS-13的低导通电阻和快速开关能力确保其为任何电源管理或驱动应用提供了有效解决方案。其高可靠性与耐用性，使得DMN2016UTS-13成为各种电路设计的理想选择。