DMN10H099SK3-13

产品概述：DMN10H099SK3-13

概述

DMN10H099SK3-13 是一款高性能的 N 通道金属氧化物半导体场效应管（MOSFET），由知名品牌DIODES（美台）制造。该器件在广泛的电源管理、转换器和负载开关等应用中表现出色，具有宽广的应用场景，特别适合于高频率和高效率的电源设计。

关键特性

1. 电气特性

   • 导通电阻 (Rds(on)): 该器件在 3.3A 时，具有最大导通电阻为 80 毫欧（在 10V 的栅压下），这使得其在负载条件下能保持较低的功耗，减少热量产生。
   • 电流额定值: 连续漏极电流（Id）在 25°C 冷却条件下达到 17A，确保在多种工作条件下都能可靠运作。
   • 漏源电压（Vdss）: 最高可承受 100V 的漏极至源极电压，适合用于多种高压应用电路中。

2. 栅极驱动

   • 栅极阈值电压 (Vgs(th)): 在 250µA 时，最大阈值电压为 3V，能够有效控制 MOSFET 的开启和关闭，确保在不同条件下的稳定性。
   • 栅极电荷 (Qg): 此器件在 10V 的栅压下，栅极电荷仅为 25.2nC，帮助实现更快速的开关频率，提高了开关效率。

3. 温度特性

   • 工作温度范围宽广，从 -55°C 到 150°C，适合于各种严苛的工作环境，提供了设计上的灵活性。

4. 电容特性

   • 输入电容 (Ciss): 在 50V 时，最大输入电容为 1172pF，为高频应用提供了良好的响应能力，减少了开关损耗。

5. 功率耗散: 最大功率耗散为 34W，使得该器件在高负载情况下仍然能够保持良好的运行效率，不容易过热，有利于提高电路的可靠性。

应用场景

DMN10H099SK3-13 的设计使其适合于多种领域，包括：

• 电源管理: 用于高效的电源转换器、DC/DC 转换器和 AC/DC 适配器中，以优化能源效率。
• 负载开关: 在分配和切换电流的应用中，提供高效的控制和切换性能，尤其是在便携式和多个负载场合。
• 电机驱动: 在电动机控制中可用于作为开关元件，尤其在PWM控制应用下表现优异。
• 自动化设备: 可确保在严苛环境中工作的工业设备具备稳定的电源支持和良好散热。

总结

DMN10H099SK3-13 作为一款功能强大且灵活的 N 通道 MOSFET，凭借其优秀的电气特性、宽广的温度范围和高可靠性，特别适合用于各类高频高效的电子应用。在现代电子设计中，能够有效地提升设备性能，降低功耗，是工程师和设计师的理想选择。无论是在电源管理还是在复杂的自动化系统中，其都可以发挥重要作用，推动电子技术的持续发展和创新。