DMG9926USD-13
DMG9926USD-13参数
| 漏源电压（Vdss） | 20V | 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 8A |
| 栅源极阈值电压 | 900mV @ 250uA | 漏源导通电阻 | 24mΩ @ 8.2A,4.5V |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 1.3W | 类型 | 双N沟道 |
| FET 类型 | 2 N-通道（双） | FET 功能 | 逻辑电平门 |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 8A | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 24 毫欧 @ 8.2A，4.5V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 900mV @ 250µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 8.8nC @ 4.5V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 867pF @ 15V | 功率 - 最大值 | 1.3W |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | 供应商器件封装 | 8-SOP |
DMG9926USD-13手册
DMG9926USD-13概述
DMG9926USD-13 产品概述
产品简介
DMG9926USD-13是一款双N沟道场效应管（MOSFET），由DIODES(美台)公司制造。它的设计旨在满足高效能的电源管理需求，尤其适用于各种用途的开关电源、负载驱动及电机控制等领域。这款MOSFET特别适合低电压和高电流应用，具备出色的开关特性和导通性能，能够在各种苛刻环境条件下可靠工作。
主要参数
- 漏源电压(Vdss): 20V
- 连续漏极电流(Id): 8A (在25°C时)
- 栅源阈值电压(Vgs(th)): 900mV @ 250µA
- 漏源导通电阻(Rds(on)): 24mΩ @ 8.2A, 4.5V
- 功率耗散(PD): 最大可达1.3W (Ta=25°C)
- 工作温度范围: -55°C 至 150°C
功能特性
逻辑电平驱动: DMG9926USD-13设计为逻辑电平门，意味着它可以直接由低电压逻辑系统驱动，提高了控制电路的简便性和兼容性。这一特性使其在数字电路和微控制器应用中表现出色。
低导通电阻: 该器件的导通电阻仅为24mΩ，这大大减少了功耗并提高了电源效率，非常适合功耗敏感的应用场域。
高开关频率: 由于其优越的栅极电荷(Qg)特性（8.8nC @ 4.5V），DMG9926USD-13能够在较高的频率下有效工作，满足快速开关需求，提供更好的响应时间和系统效率。
封装与安装
DMG9926USD-13采用表面贴装型(SMT)的SO-8封装，方便在自动化生产中进行安装，适合高密度印刷电路板(PCB)的应用场合。这种封装方式不仅减少了占用空间，而且提供了较好的散热性能，有助于延长设备的使用寿命。
应用领域
- 开关电源: DMG9926USD-13广泛应用于开关电源中，可以作为主开关元件，提供高效率和低发热量运行。
- 电机控制: 其高电流能力使其在电机驱动应用中表现出众，适合用于直流电动机及步进电机的控制。
- 负载开关: 可用于各类负载开关电路，尤其是需要频繁切换的场合，能够提供快速响应和稳定可靠的开关性能。
- LED驱动: 在LED照明驱动电路中，该MOSFET可以提高驱动效率，减少由于开关损耗产生的热量。
使用建议
在设计使用DMG9926USD-13的电路时，设计师应注意其漏源电压和电流限制，确保在额定工作范围内运行。此外，适当的散热设计是必不可少的，以保证其在高负载条件下的稳定工作。使用时，应尽量避免其在超出额定值的条件下工作，以确保长期的可靠性和性能表现。
结论
综上所述，DMG9926USD-13是一款经济且高性能的双N沟道MOSFET，适用于多种应用领域，尤其是对于那些需要高效率和省空间的设计人员而言，它提供了理想的解决方案。随着对电子设备性能要求的不断提高，DMG9926USD-13凭借其良好的技术参数和应用灵活性，必将在未来的电源管理和控制系统中扮演重要角色。