DMG4466SSS-13
品牌 :
DIODES(美台)
封装 :
SO-8
包装 :
编带
重量 :
0.18g
描述 :
场效应管(MOSFET) 1.42W 30V 10A 1个N沟道 SOP-8
库存 :
2882(起订量1,增量1)
批次 :
2年内数量 :
X
1.01按整 :
圆盘(1圆盘有2500个)
合计 :
￥0梯度
内地(含税)
香港
1+
￥1.01
--
100+
￥0.671
--
1250+
￥0.61
--
2500+
￥0.565
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37500+
产品参数
产品手册
产品概述
DMG4466SSS-13参数
| 漏源电压（Vdss） | 30V | 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 10A |
| 栅源极阈值电压 | 2.4V @ 250uA | 漏源导通电阻 | 23mΩ @ 10A,10V |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 1.42W | 类型 | N沟道 |
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 10A（Ta） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 23 毫欧 @ 10A，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.4V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 17nC @ 10V | Vgs（最大值） | ±25V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 478.9pF @ 15V | 功率耗散（最大值） | 1.42W（Ta） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | 8-SOP | 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
DMG4466SSS-13手册
DMG4466SSS-13概述
产品概述：DMG4466SSS-13 N沟道MOSFET
一、产品简介
DMG4466SSS-13是一款具有高效能的N沟道金属氧化物半导体场效应管（MOSFET），专为需要稳定工作和高负载能力的电子设备设计。它采用8-SOP（表面贴装型）封装，适合现代电子产品的小型化和高集成度需求。此MOSFET具备理想的电气特性，广泛应用于自动化控制、开关电源、直流-直流转换器以及电机驱动等领域。
二、关键参数
漏源电压（Vdss）: 30V
- 该泄控N沟道MOSFET能够承受的最大漏极源极电压为30V，适合于低至中压应用。
连续漏极电流（Id）: 10A（在25°C的环境温度下）
- 该器件的最大持续漏极电流可达10A，确保在较高负载条件下的可靠性和稳定性。
导通电阻（Rds(on)）: 23mΩ @ 10A, 10V
- 低导通电阻值使得在开启状态时产生的热量显著降低，提高了系统的能效和可靠性，减少了功耗。
最大功率耗散: 1.42W
- 开关损耗低，能够承受较高功率，无需特别的散热设计。
栅源极阈值电压（Vgs(th)）: 2.4V @ 250µA
- 该特性表明在较低的栅源电压下便可以开启MOSFET，特别适用于低电压驱动的应用。
驱动电压: 适用范围为4.5V至10V
- 不同驱动电压下的导通性能良好，使其能够轻松适配各种控制逻辑。
输入电容（Ciss）: 478.9pF @ 15V
- 适合高速开关应用，有助于减少开关时的延迟。
工作温度范围: -55°C ~ 150°C
- 广泛的工作温度范围使其适用于各种严苛环境条件，满足工业和汽车电子的需求。
三、应用领域
基于其独特的电气特性，DMG4466SSS-13 MOSFET被广泛应用于以下领域：
- 开关电源（SMPS）: 由于其低导通电阻和高效率，适用于电源转换过程，帮助实现高压到低压的转换。
- 电机驱动器: 适合用于电动机控制电路，提高电机的驱动性能与稳定性。
- 负载开关: 在高压开关应用中，提供可靠的电源控制。
- LED驱动电路: 用于驱动LED灯具，提供高效且稳定的电源管理。
- 汽车电子: 由于其广泛的工作温度范围，适用于各类汽车控制系统。
四、总结
DMG4466SSS-13 N沟道MOSFET具备卓越的电气性能和高可靠性，适应于多种应用场景。凭借其高效的导通特性、广泛的工作温度范围以及低功耗特性，使其成为现代电子设备中不可或缺的关键元件。无论是在工业控制、开关电源还是汽车电子等领域，DMG4466SSS-13都能为用户提供稳定的解决方案。