额定功率 | 200mW | 集电极电流Ic | 100mA |
集射极击穿电压Vce | 50V | 晶体管类型 | 2 个 NPN 预偏压式(双) |
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 100mA | 电压 - 集射极击穿(最大值) | 50V |
电阻器 - 基极 (R1) | 10 千欧 | 电阻器 - 发射极 (R2) | 47 千欧 |
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) | 68 @ 10mA,5V | 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) | 300mV @ 250µA,5mA |
电流 - 集电极截止(最大值) | 500nA | 频率 - 跃迁 | 250MHz |
功率 - 最大值 | 200mW | 安装类型 | 表面贴装型 |
封装/外壳 | 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 | 供应商器件封装 | SOT-363 |
DDC114YU-7-F 是一款由 Diodes Inc. 提供的高性能数字晶体管,采用 SC-70-6 封装(SOT-363),其设计旨在满足高密度 PCB 布局需求。此组件特别适用于数字电路和低功耗应用,在自动化控制、电源管理和信号调理等领域表现突出。该晶体管具备两个 NPN 预偏置的晶体管,能够在单个封装中实现多路信号放大。
高集成度: DDC114YU-7-F 集成了两个 NPN 晶体管在一个紧凑的 SOT-363 封装中,减少了 PCB 的空间需求,同时提高了产品的组件密度。
低功耗特性: 最大功率仅为 200mW 使得其非常适合于对功耗敏感的应用,如便携式设备和低功耗电子产品。
高频响应: 250MHz 的跃迁频率使得此款晶体管能够支持高速开关操作,适用于快速信号处理和高频应用场景。
宽电压范围: 50V 的集射极击穿电压为系统设计提供了较大的灵活性,使其能够在较高电压环境中安全工作。
高电流增益: 在常用工作条件下提供的高电流增益(68),提高了其在放大和开关电路中表现的有效性。
DDC114YU-7-F 广泛应用于以下领域:
DDC114YU-7-F 是一款集成度高、性能强大的数字晶体管,适合现代电子产品所需的紧凑设计和低功耗操作。凭借其良好的电气性能、宽广的应用领域以及 Diodes Inc. 的品牌优势,该组件无疑是设计工程师在多种应用场景中不可或缺的选择。随着电子产品对性能和空间的持续要求,DDC114YU-7-F 在未来的市场竞争中将展现出广泛的应用前景与价值。