DDC114EU-7-F
DDC114EU-7-F参数
| 安装类型 | 表面贴装型 | 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） | 100mA |
| 电流 - 集电极截止（最大值） | 500nA | 电压 - 集射极击穿（最大值） | 50V |
| 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值） | 300mV @ 500µA，10mA | 电阻器 - 基极 (R1) | 10 千欧 |
| 频率 - 跃迁 | 250MHz | 功率 - 最大值 | 200mW |
| 电阻器 - 发射极 (R2) | 10 千欧 | 晶体管类型 | 2 个 NPN 预偏压式（双） |
| 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值） | 30 @ 5mA，5V |
DDC114EU-7-F手册
DDC114EU-7-F概述
DDC114EU-7-F 产品概述
概述
DDC114EU-7-F 是一款由美台（DIODES）公司生产的高性能数字晶体管，采用了表面贴装型（SMD）封装，型号为 SOT-363。这款电子元器件集成了两个 NPN 预偏置晶体管，是专为各种数字和模拟电路应用而设计的，以其优秀的电气性能和可靠性被广泛用于消费电子、工业控制、通信设备等领域。
主要特点
器件结构与封装
DDC114EU-7-F 采用 SOT-363 封装，这种小型化的表面贴装技术（SMT）使得元件的安装更加简便，十分适合空间有限的电路板设计。其紧凑的外形有助于实现更高的电路集成度，降低整体产品尺寸。电气性能
- 集电极最大电流（I_C）：100mA，这意味着它能够支持各种常见的负载应用；
- 集电极截止电流（I_C的最大值）：仅为500nA，表现出了极低的漏电流特性，确保了电路在待机状态下的能耗极小；
- 集射极击穿电压（V_CE(br)）：最大值为50V，在高电压应用中表现稳定；
- 饱和压降 (V_CE(sat))：在500µA和10mA时最大值为300mV，确保了高效的开关性能、低的功耗损失和良好的热性能。
频率特性
DDC114EU-7-F 提供高达250MHz的跃迁频率，能够满足高频信号处理的需求，非常适合用于数据传输、信号放大等广泛应用。直流电流增益
在工作电流为5mA、5V的条件下，提供的最低直流电流增益（h_FE）为30，这意味着在设计放大电路时，DDC114EU-7-F 能够提供足够的增益来驱动后续电路。功耗和热管理
该器件的最大功率承载能力为200mW，这对于低功耗应用是非常理想的，同时有效的热管理使得该器件在高负载条件下工作更加稳定。应用场景
DDC114EU-7-F 的设计非常适合于数字电路的开关、信号调理、放大应用、LED 驱动、电源开关和其他小信号应用。此外，凭借其较低的功耗和高性能，该器件也非常适合在便携式和低功耗设备中使用。
总结
DDC114EU-7-F 是一款功能强大的数字晶体管，凭借其出色的电气性能和适应性，成为现代电子设备中的重要组成部分。无论是用在高频信号处理、低功耗电路设计，还是在高可靠性要求的应用中，DDC114EU-7-F 都能满足工程师的各类需求。它的预偏置设计简化了电路工作中所需的外部元件，为产品设计提供了更大的灵活性和效率。
在电子设计日趋复杂的小型化、集成化趋势下，选择适合的电子元器件，如 DDC114EU-7-F，将为创新产品的成功奠定坚实的基础。无论是开发新产品或改进现有产品，DDC114EU-7-F 都是工程师们值得信赖的合作伙伴。