CSD17381F4
CSD17381F4参数
| 安装类型 | 表面贴装型 | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 109 毫欧 @ 500mA，8A |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 1.8V，4.5V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 3.1A（Ta） | FET 类型 | N 通道 |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 195pF @ 15V | Vgs（最大值） | 12V |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 1.35nC @ 4.5V |
| 漏源电压（Vdss） | 30V | 功率耗散（最大值） | 500mW（Ta） |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 1.1V @ 250µA |
CSD17381F4手册
CSD17381F4概述
CSD17381F4 产品概述
概述
CSD17381F4是一款高性能的N沟道金属氧化物半导体场效应管（MOSFET），此器件由德州仪器（Texas Instruments, TI）制造，专为低功耗应用设计，具备出色的开关特性和低导通电阻，采用表面贴装型（SMD）封装，方便与现代电子产品设计集成。它的主要参数包括最大漏极电流为3.1A，以及最大漏源电压为30V，同时以其卓越的功率耗散能力（500mW）和高工作温度范围（-55°C至150°C）而著称。
主要特点
低导通电阻: 在运行状态下，CSD17381F4在Vgs为4.5V和Id为500mA情况下，导通电阻（Rds On）最大值为109毫欧，这使得该MOSFET在应用中具有极低的电压降和热损耗，适合于高效率电源管理和驱动电路。
宽工作温度范围: 工作温度范围从-55°C到150°C，适合各种严苛环境的应用需求。这种特性使得CSD17381F4可以在汽车、航空及工业设备等需要高可靠性与耐用性的场合下工作。
小型封装: CSD17381F4采用3-PICOSTAR封装，其小巧的形状能够节省电路板的空间，是紧凑型设计的理想选择。这种封装特别适合于移动设备、便携式电子产品和小型电器等设计。
灵活的驱动电压: MOSFET的Vgs启动电压为1.1V，且可以在1.8V和4.5V的条件下实现最佳操作，这意味着它能够与多种逻辑电平兼容，适合不同的控制电路需求。
高输入电容与栅极电荷: 在15V的漏源电压下，输入电容（Ciss）最大值达到195pF，再加上在4.5V上的栅极电荷（Qg）最大值为1.35nC，这使得该MOSFET在高频率开关应用中表现优异，能够快速响应，从而提升整体的电路性能。
应用场景
CSD17381F4广泛应用于需要高功率、低开关损耗的电源管理系统，包括但不限于：
- DC-DC转换器: 适用于降压和升压转换器，确保高效的电能转换，降低功率损耗，提高转换效率。
- 电池管理系统: 在电动车和便携式设备中优化能量管理，增加续航能力。
- 电机驱动: 作为电机控制系统中的驱动器，CSD17381F4能够提供高效能的电源。
- 开关电源: 用于开关电源（SMPS）设计中，提升能量使用效率，减少热量产生。
- LED驱动电路: 在LED照明应用中，控制LED的开启和关断，提高使用寿命。
总结
CSD17381F4是一款集成了优良电气特性和广泛应用能力的N沟道MOSFET。其低导通电阻、宽温工作范围以及灵活的驱动电压特性，确保了其在各种现代电子设备中的可靠性与高效性。作为TI的产品，它不仅满足高效能的电源管理需求，还符合当今电子设计的紧凑性与高性能标准，使其成为众多应用场景中的理想选择。在选择MOSFET时，CSD17381F4无疑是业内工程师的优选之一。