极性 | Bidirectional | 峰值脉冲电流(10/1000us) | 789A (8/20us) |
箝位电压 | 76V | 击穿电压(最小值) | 36.6V |
反向关断电压(典型值) | 33V | 类型 | 齐纳 |
双向通道 | 1 | 电压 - 反向断态(典型值) | 33V |
电压 - 击穿(最小值) | 36.6V | 不同 Ipp 时电压 - 箝位(最大值) | 76V |
电流 - 峰值脉冲 (10/1000µs) | 789A(8/20µs) | 功率 - 峰值脉冲 | 5000W(5kW) |
电源线路保护 | 无 | 应用 | 通用 |
不同频率时电容 | 2875pF @ 1MHz | 安装类型 | 通孔 |
封装/外壳 | R6,轴向 | 供应商器件封装 | R-6 |
产品基本信息
型号:BZW50-33B
品牌:ST(意法半导体)
封装类型:R-6(轴向,通孔安装)
应用类型:通用
功能与特性
BZW50-33B是ST公司生产的一款高性能双向瞬态电压抑制二极管(TVS二极管),主要用于保护敏感电子设备免受过压和瞬态电压的影响。该器件具有稳健的电压击穿特性和极低的泄漏电流,这使其在各种电气领域中得到广泛应用。
电气特性
极性:BZW50-33B为双向器件,适合在AC信号或对称浪涌电压环境中使用。
峰值脉冲电流(Ipp):该器件在模拟8/20微秒下的最大脉冲电流为789A,显示了其出色的抗浪涌能力。对于10/1000微秒的脉冲电流,器件也能保持良好的性能,适应各种瞬态电压条件。
箝位电压:最大箝位电压为76V,能够在过电压条件下有效限制电压的上升,提高了被保护设备的安全性。
击穿电压:BZW50-33B的最小击穿电压为36.6V,这意味着在正常操作中,该器件不会意外导通,从而确保了设备的稳定性。
反向关断电压:典型值为33V,适应性较强,符合常见应用的需求。
功率处理能力:具备5000W的峰值脉冲功率,对于尖峰电压有优越的承受能力。
电容特性:在1MHz频率下,电容值为2875pF,这在高频应用中表现出良好的回馈特性,适合高速电路的设计。
应用场景
BZW50-33B适用于广泛的应用场景,包括:
通信设备:在各种通信模块中保护敏感元器件,如调制解调器、交换机和路由器等,可以防止因雷击、电涌等导致的瞬态损坏。
消费电子:在电视、音响系统和其他家庭电器中,能够有效防止电网波动引起的故障。
工业自动化:在传感器、执行器和控制器的电源线上使用,确保在恶劣条件下设备的可靠运行。
汽车电子:可用于汽车电路中,保护电控模块和传感器不受电涌损害,适应复杂的电磁环境。
安装与封装
BZW50-33B采用R-6封装,符合轴向通孔安装,可以方便地集成到各种电路板设计中。其设计确保了良好的散热性能和极高的可靠性。此外,R-6封装的尺寸使其适应更为紧凑的电子设备。
总结
BZW50-33B是一款性能出色、可靠性高的双向TVS二极管,适用于各种具有瞬态电压保护需求的应用。其高峰值脉冲电流和优越的击穿特性使其成为保护敏感电路的理想选择。通过合理的电路设计和合理的组件使用,BZW50-33B能够大大提升电子设备在电压波动和瞬态干扰下的安全性和稳定性,是现代电子设备中不可或缺的组成部分。