BSS84DW-7-F
BSS84DW-7-F参数
| 漏源电压（Vdss） | 50V | 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 130mA |
| 栅源极阈值电压 | 2V @ 1mA | 漏源导通电阻 | 10Ω @ 100mA,5V |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 300mW | 类型 | 双P沟道 |
| FET 类型 | 2 个 P 沟道（双） | FET 功能 | 逻辑电平门 |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 130mA | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 10 欧姆 @ 100mA，5V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2V @ 1mA | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 45pF @ 25V |
| 功率 - 最大值 | 300mW | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 |
| 供应商器件封装 | SOT-363 |
BSS84DW-7-F手册
BSS84DW-7-F概述
产品概述：BSS84DW-7-F
BSS84DW-7-F 是一款专为低功耗和高效能应用设计的双 P 沟道场效应管 (MOSFET)，其主要应用于开关控制、电源管理，以及模拟信号处理等领域。该器件由 Diodes (美台) 供应，具有良好的电气性能和紧凑的封装设计，适合多种电子应用。
1. 基本特性
1.1 电气性能
BSS84DW-7-F 的漏源电压 (Vdss) 最大达到 50V，能够承受中等电压的操作条件，这使得它适合用于各种电源管理和开关电路。其最大连续漏极电流 (Id) 在 25°C 时为 130mA，能够满足一般小功率电路的需求。
1.2 导通电阻
该器件在 100mA 的条件下具有低至 10Ω 的漏源导通电阻，这在保证高效率和低功耗的同时，能够显著减少热量产生。较低的导通电阻有助于提高电路的整体性能，特别在频繁开关的应用中显得尤为重要。
1.3 栅源极阈值电压
BSS84DW-7-F 的栅源极阈值电压（Vgs(th)）为 2V @ 1mA，这意味着它可以在较低的栅源电压下实现导通，适用于逻辑电平控制的电路，实现高效的信号开关。
2. 温度与功率特性
该 MOSFET 的最大功率耗散达 300mW (在环境温度 25°C 下)，并可在宽广的工作温度范围内可靠运行，温度范围为 -55°C 到 150°C。该特性使得 BSS84DW-7-F 匹配恶劣环境下的工业应用，如汽车电子、航空航天及高温环境条件下的电子产品。
3. 封装与布局
BSS84DW-7-F 采用 SOT-363 表面贴装封装，这种紧凑型封装设计不仅节省了 PCB 布局空间，而且有助于提升产品的散热性能。6-TSSOP（SC-70-6）封装形式使得该元件在高集成度设计中尤为理想。
4. 应用领域
BSS84DW-7-F 适用于多种应用场景，包括：
- 开关控制：可用于开关稳压电源，调节电源的导通与断开。
- 模拟信号处理：可应用于模拟信号的调制与解调，适合音频电路和信号放大。
- 逻辑电平驱动：能够与逻辑电平电路兼容工作，适合数字电路集成。
- 低功耗设备：其低电压工作及低功耗特性使其在可穿戴设备和移动设备中非常适用。
5. 性能优势
与其他相似产品相比，BSS84DW-7-F 结合了良好的电气性能和高可靠性，能够在多种应用场景中提供优越的性能。其低导通电阻和高频率响应特性，极大提升了电路的效率与响应速度。
6. 结论
BSS84DW-7-F 是一款高效能、低功耗且灵活应用的双 P 沟道场效应管，适合各种电子设计领域。从开关电源到信号处理，该器件广泛的工作温度和优异的电气性能使其成为众多电子设计师的首选产品。无论是在消费电子和工业控制，还是在汽车电子这一快速发展的领域，BSS84DW-7-F 都将以其可靠性和高效能，助力实现各种创新解决方案。