漏源电压(Vdss) | 60V,50V | 连续漏极电流(Id)(25°C 时) | 115mA,130mA |
栅源极阈值电压 | 2.5V @ 250uA | 漏源导通电阻 | 7.5Ω @ 50mA,5V |
最大功率耗散(Ta=25°C) | 200mW | 类型 | N沟道和P沟道 |
FET 类型 | N 和 P 沟道 | FET 功能 | 逻辑电平门 |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 115mA,130mA | 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 7.5 欧姆 @ 50mA,5V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 2.5V @ 250µA | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 50pF @ 25V |
功率 - 最大值 | 200mW | 工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 |
供应商器件封装 | SOT-363 |
BSS8402DW-7-F 是一款高性能的双 MOSFET 器件,结合了一个 N 沟道和一个 P 沟道场效应管,专为低功耗应用而设计,能够在相对高的漏源电压和连续漏极电流下高效工作。该产品采用 SOT-363 封装,具有紧凑、坚固的结构,适应于表面贴装类型的电路板设计,广泛应用于数字电路、开关电源和其他逻辑应用。其主要优势在于出色的电流控制能力和较低的导通电阻,使得其在多种应用场景中具备出色的性能。
漏源电压(Vdss): 60V 和 50V,两种型号满足不同电压需求,适用于多种电源配置。
连续漏极电流(Id): 在 25°C 工作环境下,N 沟道提供 115 mA,P 沟道可实现 130 mA 的持续电流,通过合理的设计和散热措施可以在更高的电流负载下稳定运行。
栅源极阈值电压(Vgs(th)): 为 2.5V @ 250µA,显示出在逻辑电平驱动下优良的开关性能,能够确保低电压驱动条件下的高效开关操作。
导通电阻(Rds(on)): 最大值为 7.5Ω @ 50mA,5V 的导通电阻非常低,这使得器件在导通状态下功耗减低,提升了整体电路的效率。
输入电容(Ciss): 最大 50pF @ 25V,在高频应用中可提供快速的开关响应,适应快速的数据传输需求。
最大功率耗散: 在 25°C 环境下为 200mW,充分满足小功率电路设计需求,适合于便携式设备和低功耗应用。
工作温度范围: -55°C 至 150°C,广泛适应于恶劣环境的应用,确保在高温或低温条件下性能稳定。
BSS8402DW-7-F 适用于各种实际应用,尤其适合以下领域:
BSS8402DW-7-F 采用 SOT-363 封装,便于在有限的电路板空间内进行安装,适应现代电子产品对小型化和高集成度的需求。此封装形式确保了良好的热散发性能,有助于提高器件工作稳定性。
该产品由全球知名品牌 DIODES 生产,信赖其品质以及在国际范围内的可靠性和稳定性。提供标准化的选购规格,同时以竞争力的价格为用户提供优质服务。
作为一款卓越的双 MOSFET 器件,BSS8402DW-7-F 以其出色的电气性能、广泛的应用范围和适应多种工作环境的能力成为了电子设计中的理想选择。无论在消费类电子、工业控制、还是高温环境下的应用,BSS8402DW-7-F 都表现出了优越的可靠性和效能,是工程师们理想的设计参考。