BSS816NWH6327XTSA1
品牌 :
Infineon(英飞凌)
封装 :
SOT-323
包装 :
编带
重量 :
0.015g
描述 :
场效应管(MOSFET) 500mW 20V 1.4A 1个N沟道 SOT-323-3
库存 :
3(起订量1,增量1)
批次 :
21+数量 :
X
0.683按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
￥0梯度
内地(含税)
香港
1+
￥0.683
--
200+
￥0.441
--
1500+
￥0.383
--
3000+
￥0.339
--
45000+
产品参数
产品手册
产品概述
BSS816NWH6327XTSA1参数
| 漏源电压（Vdss） | 20V | 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 1.4A |
| 栅源极阈值电压 | 750mV @ 3.7uA | 漏源导通电阻 | 160mΩ @ 1.4A,2.5V |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 500mW | 类型 | N沟道 |
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 1.4A（Ta） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 1.8V，2.5V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 160 毫欧 @ 1.4A，2.5V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 0.75V @ 3.7µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | .6nC @ 2.5V | Vgs（最大值） | ±8V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 180pF @ 10V | 功率耗散（最大值） | 500mW（Ta） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | PG-SOT323-3 | 封装/外壳 | SC-70，SOT-323 |
BSS816NWH6327XTSA1手册
BSS816NWH6327XTSA1概述
产品概述：BSS816NWH6327XTSA1
一、产品简介 BSS816NWH6327XTSA1是一款高性能的N沟道MOSFET，由著名半导体公司Infineon（英飞凌）生产，广泛应用于电子电路中，尤其是在需要高效电源管理和开关控制的场景下。该器件以其卓越的性能特征、紧凑的封装和良好的热管理能力，成为设计工程师的理想选择。
二、主要参数 BSS816NWH6327XTSA1具有以下关键技术参数：
- 漏源电压（Vdss）：20V，能够有效承受较高的电压压力，适合多种应用环境。
- 连续漏极电流（Id）：1.4A（在25°C环境下），为负载提供可靠的电流传输。
- 栅源极阈值电压（Vgs(th)）：750mV @ 3.7μA，确保MOSFET在低电压下也能正常工作，适合低电平信号控制。
- 漏源导通电阻（Rds(on)）：160mΩ @ 1.4A, 2.5V，这一低导通电阻特性在开关过程中可显著减小功耗并提高效率。
- 最大功率耗散（Pd）：500mW @ Ta=25°C，确保在各种条件下长期工作而不会过热。
- 工作温度范围：-55°C ~ 150°C，保证其在极端恶劣的环境下工作稳定。
三、封装与安装 BSS816NWH6327XTSA1采用SC-70/SOT-323封装，表面贴装设计（SMD），不仅可节省电路板空间，还简化了自动化焊接工艺。这种小型化的封装适合便携式和移动设备，如智能手机、平板电脑等。
四、典型应用 BSS816NWH6327XTSA1的特性使其在多个领域都有广泛的应用，包括：
- 开关电源：由于其高效的导通特性，适合用于DC-DC转换器。
- 电机驱动：作为电机控制电路中的开关元件，能有效调节电机速度。
- 逻辑级开关：在数字电路中可用于信号的开关控制。
- 负载开关：在家电和工业设备中作为负载开关使用。
- 电池管理系统：由于其低导通电阻特性，适合用于电池的充电和放电控制。
五、设计考虑 在设计使用BSS816NWH6327XTSA1时，工程师需要关注其最大功率耗散及环境散热条件，以避免过热损坏。此外，由于Vgs最大值为±8V，栅极电压的管理至关重要，设计时需要确保Vgs的范围不超过该参数，以避免损坏MOSFET。
六、结论 BSS816NWH6327XTSA1是一款性能优异的N沟道MOSFET，凭借其高可靠性、出色的电气特性和小型封装，成为现代电子设计和功率管理领域的重要选择。无论是用于普通家电，还是在高端智能设备中，BSS816NWH6327XTSA1都能为设计提供极大的灵活性和效率，是各种工程项目中的理想组成部分。选择BSS816NWH6327XTSA1，将使您的设计更具竞争力和市场适应能力。