BSS138W-7-F
BSS138W-7-F参数
| 漏源电压（Vdss） | 50V | 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 200mA |
| 栅源极阈值电压 | 1.5V @ 250uA | 漏源导通电阻 | 3.5Ω @ 220mA,10V |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 200mW | 类型 | N沟道 |
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 200mA（Ta） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 3.5 欧姆 @ 220mA，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 1.5V @ 250µA |
| Vgs（最大值） | ±20V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 50pF @ 10V |
| 功率耗散（最大值） | 200mW（Ta） | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | SOT-323 |
| 封装/外壳 | SC-70，SOT-323 |
BSS138W-7-F手册
BSS138W-7-F概述
BSS138W-7-F 产品概述
一、产品简介
BSS138W-7-F 是一款高性能的 N 沟道 MOSFET，专为低电流、高效率应用而设计。其核心特性包括漏源电压（Vdss）为 50V，连续漏极电流（Id）在25°C时可达到200mA。此外，该器件采用 SOT-323 表面贴装封装，适用于空间受限的现代电路设计。
二、主要规格
漏源电压（Vdss）: 50V
- 该值确保 BSS138W-7-F 在许多高电压应用场合中可正常工作，不会因过压而损坏。
连续漏极电流（Id）: 200mA @ 25°C
- 在常温环境中，该 MOSFET 提供了可观的电流承载能力，适用于各种负载驱动。
栅源极阈值电压（Vgs(th)）: 1.5V @ 250µA
- 该参数表明该器件容易被低电压激活，符合许多低功耗电子设备的需求。
漏源导通电阻（Rds(on)）: 3.5Ω @ 220mA, 10V
- 此特性使得在导通状态时能有效降低功耗和发热，提高整体系统效率。
最大功率耗散（Pd）: 200mW @ 25°C
- 限制在该功率范围内，可确保 MOSFET 在高负载状态下正常工作并保持 stable 中性。
工作温度范围: -55°C ~ 150°C
- 该宽广的工作温度范围使得 BSS138W-7-F 适用于严酷环境下的应用。
输入电容（Ciss）: 50pF @ 10V
- 小型输入电容能够加快开关速度，减少延迟，对于高频应用尤为重要。
封装类型: SOT-323
- 这种小型封装方便贴装，适用于小型化电路设计。
三、应用场景
BSS138W-7-F 的设计使其非常适合以下应用：
开关电源：由于其低导通电阻和高工作效率，可以用于各种开关电源模块中，有效提升电源转换效率。
LED 驱动器：在 LED 照明应用中，该 MOSFET 能够为 LED 提供平稳可靠的驱动。
信号开关和开关电路：其快速开关特性及较低的门部功耗使得在各类信号开关电路中表现优异。
便携式设备：由于其小型的 SOT-323 封装，BSS138W-7-F 非常适合在空间受限的便携式电子设备中使用。
自动化与控制系统：在传感器和控制电路中应用广泛，能够有效地转化和控制小电流负载。
四、优势与特点
- 高效率：凭借其低 Rds(on) 和高 Vdss，使得 BSS138W-7-F 在提供高电流的同时保持低功耗特性。
- 高温稳定性：宽温度范围确保在各种极端环境下都能正常工作。
- 快速开关能力：适用于高频率切换应用，提供更好的电源管理。
五、总结
BSS138W-7-F 是一款小型高效能的 N 沟道 MOSFET，具备广泛的电流和电压规格，非常适合现代电子设备中开关电源、LED 驱动以及自动化控制系统的应用。其优异的性能、宽广的工作温度范围及便于集成的封装，每个设计工程师在选择适合其应用的 MOSFET 时，BSS138W-7-F 无疑是一个值得考虑的优秀选择。无论是在消费电子、工业控制还是汽车电子领域，该产品均能为客户提供出色的性能和价值。