BSS138BK,215
BSS138BK,215参数
| 漏源电压（Vdss） | 60V | 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 360mA |
| 栅源极阈值电压 | 1.6V @ 250uA | 漏源导通电阻 | 1.6Ω @ 350mA,10V |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 350mW | 类型 | N沟道 |
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 360mA（Ta） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 1.6 欧姆 @ 350mA，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 1.6V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | .7nC @ 4.5V | Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 56pF @ 10V | 功率耗散（最大值） | 350mW（Ta），1.14W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | TO-236AB | 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
BSS138BK,215手册
BSS138BK,215概述
BSS138BK,215 是由著名的安世半导体（Nexperia）推出的一款高性能 N 型场效应晶体管（MOSFET），采用 TO-236AB 封装。该 MOSFET 主要用于开关和放大应用，具有较高的可靠性和较优的电气特性，适合在低功耗电子设备中广泛使用。以下是对 BSS138BK,215 的详细产品概述。
1. 基本特性
BSS138BK,215 的漏源电压（Vdss）为 60V，这使其在高电压应用中的稳定性表现良好。该 MOSFET 的最大连续漏极电流（Id）可达 360mA（在 25°C 时），这使其适用于多种电子电路设计。同时，栅源极阈值电压（Vgs(th)）为 1.6V @ 250µA，表明在较低的栅电压下，MOSFET 即可导通，便于实现低功耗驱动。
2. 导通特性
BSS138BK,215 的漏源导通电阻（Rds(on)）为 1.6Ω，当漏极电流为 350mA时，驱动电压为 10V。这一特性使得该器件在通断状态下具有相对较低的功耗，适合用于要求高效率的系统。此外，不同 Id 和 Vgs 下的导通电阻保持在较低水平，有助于提高整体电路的性能。
3. 工作温度和功率耗散
该 MOSFET 支持的工作温度范围为 -55°C 至 150°C，适用于严苛环境下的应用。而最大功率耗散值在环境温度（Ta）为 25°C 时为 350mW，在结温（Tc）为 25°C 时可达到 1.14W。这保证了 BSS138BK,215 在不同工作条件下能够保持可靠的性能，并降低因高功率损耗引起的发热问题。
4. 驱动和电容特性
在驱动方面，BSS138BK,215 的最大栅电压（Vgs）可达 ±20V，对于各种信号驱动应用具有灵活性。同时，在 4.5V 时，栅极电荷（Qg）为 0.7nC，表现出良好的电容特性，使其能够快速响应控制信号，从而实现更高的开关频率和效率。在输入电容（Ciss）方面，其最大值为 56pF @ 10V，保证了在高频操作中的稳定性。
5. 封装和安装
BSS138BK,215 采用 TO-236AB 封装，这一表面贴装型封装设计适合当今主流的SMT（表面贴装技术）制作工艺。TO-236AB 封装不仅使得器件在 PCB 上占用空间较小，还便于批量生产和自动化装配，减少了人工装配的成本和误差。
6. 应用场景
由于 BSS138BK,215 具备上述多项优良特性，这款 N 通道 MOSFET 在多个电子应用中均表现出良好的适用性。常见应用包括：
- 开关电源：在电源管理电路中充当开关元件，提供高效的电能管理。
- LED 驱动：用于驱动 LED 照明系统，具备较少的功率损耗和发热。
- 信号放大：在低功耗放大电路中使用，提升信号的传输效率。
- 电机驱动：在微型电机控制电路中，确保高效的开关动作。
结论
BSS138BK,215 是一款集高电压、适中电流、低导通电阻于一身的高性能 N 通道 MOSFET，尤其适用于需要低功耗和高可靠性的应用场景。其良好的电气特性和适应性使得该 MOSFET 成为现代电子设计中不可或缺的选择。无论是在电源管理、信号处理还是驱动控制中，BSS138BK,215 都能够发挥出色的性能，并为设计者提供更多的灵活性和便利性。