BSH202,215
BSH202,215参数
| 漏源电压（Vdss） | 30V | 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 520mA |
| 栅源极阈值电压 | 1.9V @ 1mA | 漏源导通电阻 | 900mΩ @ 280mA,10V |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 417mW | 类型 | P沟道 |
| FET 类型 | P 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 520mA（Ta） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 900 毫欧 @ 280mA，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 1.9V @ 1mA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 2.9nC @ 10V | Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 80pF @ 24V | 功率耗散（最大值） | 417mW（Ta） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | TO-236AB | 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
BSH202,215手册
BSH202,215概述
BSH202,215 产品概述
一、产品概述
BSH202,215 是由安世（Nexperia）公司推出的一款高性能P沟道场效应管（MOSFET），适合广泛的应用场景，特别是在低电压、低功耗的电子产品中。这款MOSFET在设计上充分考虑了功率限制和效率，表现出色的电气特性，使其成为许多设计师的首选。
二、关键技术参数
漏源电压（Vdss）: 该MOSFET的最大漏源电压为30V，可以在多种低压电源应用中使用。
连续漏极电流（Id）: 在25°C环境温度下，该器件的连续漏极电流达到520mA，强调了其在高负载应用中的能力。
栅源极阈值电压（Vgs(th)）: 该产品的栅源极阈值电压为1.9V（在1mA时测得），使其在低电压启用环境下表现良好。
导通电阻（Rds On）: 对于280mA电流和10V驱动电压，漏源导通电阻为900mΩ，降低了功耗和发热量。
功率耗散: 最大功率耗散为417mW（在Ta=25°C条件下），适合在小型、低功耗的电路中使用。
工作温度范围: 可在-55°C至150°C的广泛温度范围内工作，适用于严苛的环境条件。
栅极电荷（Qg）: 在10V操作条件下，栅极电荷为2.9nC，表明该器件速度较快，适合高速开关应用。
输入电容（Ciss）: 该MOSFET的输入电容为80pF（在24V时测得），确保了出色的动态特性和响应速度。
三、封装与安装
BSH202,215采用TO-236AB（SOT-23封装）封装类型，它是一种表面贴装型设计，便于在现代电子设备中进行小型化和高密度布局。该封装具备良好的热导性能，能够有效散热，从而保障MOSFET的性能和寿命。
四、应用领域
BSH202,215 具有良好的适用性和灵活性，适合以下主要应用场景：
电源管理: 适用于开关电源、线性稳压电源等电源管理电路。
信号开关: 用于低电流信号开关，能够确保信号传输的高效和稳定。
LED 驱动: 在LED照明设计中，高效地驱动各类LED，提升亮度和降低功耗。
电池供电设备: 由于其低功耗特性，非常适合在电池供电设备中使用，延长电池寿命。
汽车电子: 能够满足汽车电子应用的高温和高可靠性要求，适合于汽车控制系统、LED照明等场合。
五、总结
BSH202,215是安世公司推出的一款出色的P沟道MOSFET，具备多项优异参数，适用于多种电子应用。它的设计兼顾了功效、效率和操作灵活性，特别适用于低功耗的电源管理和信号开关功能，能够在各种环境下稳定工作。凭借其可靠性和高性能，BSH202,215在现代电子设计中成为了一个值得信赖的选择。