BSC160N15NS5 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格

BSC160N15NS5

商品编码: BM0000280739
品牌 : 
Infineon(英飞凌)
封装 : 
TDSON-8
包装 : 
编带
重量 : 
0.147g
描述 : 
场效应管(MOSFET) 96W 150V 56A 1个N沟道 TDSON-8(5.9x5.2)
库存 :
64(起订量1,增量1)
批次 :
22+
数量 :
X
6.64
按整 :
圆盘(1圆盘有5000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥6.64
--
100+
¥6.64
--
1250+
¥6.64
--
2500+
¥6.64
--
50000+
产品参数
产品手册
产品概述

BSC160N15NS5参数

漏源电压(Vdss)150V连续漏极电流(Id)(25°C 时)56A(Tc)
漏源导通电阻16mΩ @ 28A,10V栅源极阈值电压4.6V @ 60uA
最大功率耗散(Ta=25°C)96W(Tc)类型N沟道

BSC160N15NS5手册

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BSC160N15NS5概述

产品概述:BSC160N15NS5 N沟道MOSFET

产品简介

BSC160N15NS5是英飞凌公司推出的一款高性能N沟道场效应晶体管(MOSFET),专为高效能电力转换和开关应用而设计。该器件具有超低的导通电阻和高的漏极电流承受能力,非常适合用于各种电力电子应用,包括但不限于DC-DC转换器、马达驱动、变频器及其他高频开关电源。

基本参数

  • 漏源电压(Vdss): 150V
  • 连续漏极电流(Id): 56A(在25°C时)
  • 漏源导通电阻: 16mΩ(在28A和10V下)
  • 栅源极阈值电压: 4.6V(在60μA下)
  • 最大功率耗散: 96W(在环境温度25°C时)
  • 封装类型: TDSON-8 (尺寸:5.9mm x 5.2mm)

性能特点

  1. 高效率
    BSC160N15NS5采用的先进制造工艺,使其具备超低导通电阻(16mΩ),在高电流流过时能显著降低功耗和发热,从而提高系统的整体效率。

  2. 宽电压范围
    最高可承受150V的漏源电压,使其适用于多个高压电源管理应用,具备足够的电压裕度以应对电源波动。

  3. 高电流承载能力
    在25°C的情况下,该器件的连续漏极电流可达到56A,适用于需要大电流处理的电力系统,如电动机驱动和工业应用。

  4. 出色的热性能
    96W的最大功率耗散能力使得该MOSFET能够在严苛环境中稳定工作。其TDSON-8封装设计优化了散热性能,确保器件在高负载下的可靠性。

  5. 灵活的工作参数
    其栅源极阈值电压为4.6V,保证了所需的驱动电压较为灵活,适用于多种控制电路设计,并且可以方便地与其他元器件集成。

应用场景

BSC160N15NS5适用于多种电力电子应用领域,包括但不限于:

  • DC-DC转换器:在电源模块中作为开关元件,提供高效的电压转换。
  • 电动机驱动:为电动机提供高效的驱动信号,减少能耗,提高效率。
  • 变频器:在变频器中用作高频开关元件,有效控制电机速度与扭矩。
  • 开关电源(SMPS):在开关电源中作为主要开关元器件,提升电源转换过程的效率。

总结

总体而言,BSC160N15NS5是一款高效率、高性能的N沟道MOSFET,凭借其优异的电气性能和热管理特性,使其在现代电力电子应用中占据了重要地位。无论是在通信、电动汽车、工业电源还是消费电子产品中,该器件都是设计师们可靠的选择,能够有效降低能耗并提升整体系统效率。