BCV49,115 产品实物图片
BCV49,115 产品实物图片
注:图像仅供参考,请参阅产品规格

BCV49,115

商品编码: BM0000280713
品牌 : 
Nexperia(安世)
封装 : 
SOT-89
包装 : 
编带
重量 : 
0.107g
描述 : 
达林顿管 1.3W 60V 10000@5V,100mA NPN SOT-89-3
库存 :
2421(起订量1,增量1)
批次 :
24+
数量 :
X
1.27
按整 :
圆盘(1圆盘有1000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥1.27
--
50+
¥0.633
--
1000+
¥0.55
--
20000+
产品参数
产品手册
产品概述

BCV49,115参数

晶体管类型NPN - 达林顿集电极电流Ic500mA
集射极击穿电压Vce60V额定功率1.3W
电流 - 集电极 (Ic)(最大值)500mA电压 - 集射极击穿(最大值)60V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值)1V @ 100µA,100mA电流 - 集电极截止(最大值)100nA(ICBO)
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值)10000 @ 100mA,5V功率 - 最大值1.3W
频率 - 跃迁220MHz工作温度150°C(TJ)
安装类型表面贴装型封装/外壳TO-243AA
供应商器件封装SOT-89

BCV49,115手册

empty-page
无数据

BCV49,115概述

BCV49,115 产品概述

概述

BCV49,115是由Nexperia(安世半导体)生产的一款高性能NPN达林顿型晶体管,主要用于信号放大和开关应用。作为达到高电流增益的达林顿结构,该晶体管的特性使其在面临各种电子设计中,尤其是在低电流控制高电流负载的场景时表现出色。其小巧的SOT-89封装和宽广的工作温度范围使得BCV49,115非常适合用于便携式设备、通信、电源管理以及其它需要高效率和小体积的电子系统中。

主要特性

  • 晶体管类型:NPN - 达林顿
  • 集电极电流 (Ic):最高可达500mA
  • 集射极击穿电压 (Vce):60V,适用于多种供电环境
  • 额定功率:1.3W,使得晶体管在各种负载条件下都能保持良好性能
  • 饱和压降 (Vce,sat):在不同的基极电流 (Ib) 和集电极电流 (Ic) 下,最大饱和压降可达到1V(对于100µA和100mA的条件),表明在开关应用中功耗低,效率高
  • 集电极截止电流 (ICBO):最大值为100nA,显示出较好的截止特性,适合高阻抗应用
  • 直流电流增益 (hFE):在100mA的集电极电流和5V的条件下,最小值可达到10000,表明其在信号放大与开关控制的优越性能
  • 频率 - 跃迁:220MHz,适合频率较高的信号处理应用
  • 工作温度:工作结温可达150°C,使得该产品在恶劣环境下也能持续稳定工作
  • 封装:采用SOT-89标准封装,具备良好的散热特性和小尺寸,适合紧凑型设计
  • 安装类型:表面贴装型(SMD),便于自动化生产和手工焊接

应用场景

BCV49,115的高电流增益特性和宽广的电压范围使其在多个领域内有广泛的应用:

  1. 信号放大:在音频和视频设备中,能够有效放大微弱信号,以便后续处理。
  2. 开关控制:适用于低电流控制高电流负载的场合,如继电器、驱动电机或LED驱动器。
  3. 电源管理:可以用作开关稳压器的输出级,提供高效能量转换。
  4. 无线通讯:其高频特性使其适用于调制解调器和无线收发系统的信号放大部分。

竞争优势

BCV49,115凭借巨大电流增益、高集电极电流和高工作温度的优势,相比于传统的单管NPN晶体管,更具竞争力。其超低的集电极截止电流和饱和压降也极大地增强了其在低功耗应用中的应用可行性。此外,SOT-89封装的选择为PCB设计提供了更高的灵活性,使得设计人员可以在设计时考虑更小的布局,有效提升产品的集成度和性能。

总结

BCV49,115是一款高效、可靠的达林顿型NPN晶体管产品,其高电流增益、宽电压适应能力以及小巧的封装设计,使其在现代电子产品设计中成为不可或缺的组件。无论是用于信号放大还是开关控制,BCV49,115都能够提供卓越的性能表现,满足各种复杂应用需求,是工程师们在开发高效能电子设备时的重要选择。