晶体管类型 | NPN | 集电极电流Ic | 100mA |
集射极击穿电压Vce | 45V | 额定功率 | 300mW |
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 100mA | 电压 - 集射极击穿(最大值) | 45V |
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) | 600mV @ 5mA,100mA | 电流 - 集电极截止(最大值) | 15nA |
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) | 200 @ 2mA,5V | 功率 - 最大值 | 300mW |
频率 - 跃迁 | 300MHz | 工作温度 | -65°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
供应商器件封装 | SOT-23-3 |
产品简介
BC847B-7-F 是一款高性能的 NPN 类型晶体管,由美台(DIODES)公司生产。该器件以其优良的电气性能和宽温度范围而深受设计师的青睐,广泛应用于信号放大、开关和驱动电路等多个领域。作为一款表面贴装型元器件,BC847B-7-F 的小型封装(SOT-23)使其非常适合用于空间有限的现代电子设计。
基本参数
应用领域
BC847B-7-F 可以广泛应用于以下领域:
优势与特性
BC847B-7-F 的设计融合了高效能和可靠性,具有以下优势:
总结
BC847B-7-F 作为一款高性能的 NPN 晶体管,凭借其卓越的电气特性、广泛的应用领域及设计灵活性,成为电子设计师的重要工具。无论是在通信、消费电子还是开关电源等方面,BC847B-7-F 都能为各种应用提供可靠的解决方案,是现代电子产品设计中的理想选择。选择 BC847B-7-F,您将获得性能与实用性的完美结合,助力您的电子产品设计实现更高的标准。