BAT54CW,115
BAT54CW,115参数
| 直流反向耐压（Vr） | 30V | 平均整流电流（Io） | 200mA |
| 正向压降（Vf） | 800mV @ 100mA | 二极管配置 | 1 对共阴极 |
| 二极管类型 | 肖特基 | 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值） | 30V |
| 电流 - 平均整流 (Io)（每二极管） | 200mA（DC） | 不同 If 时电压 - 正向 (Vf) | 800mV @ 100mA |
| 速度 | 小信号 =< 200mA（Io），任意速度 | 反向恢复时间 (trr) | 5ns |
| 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏 | 2µA @ 25V | 工作温度 - 结 | 150°C（最大） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | SC-70，SOT-323 |
| 供应商器件封装 | SOT-323 |
BAT54CW,115手册
BAT54CW,115概述
产品概述：BAT54CW,115
BAT54CW,115是一款由Nexperia（安世半导体）制造的高性能肖特基二极管，采用了SOT-323封装，专为低功耗和高频应用设计。该器件集成了两组肖特基二极管，构成1对共阴极配置，提供灵活的电路设计选择。由于其优异的电性能和紧凑的封装，BAT54CW,115在各种电子设备中得到了广泛应用。
关键参数
直流反向耐压（Vr）：最大可达30V，这使得BAT54CW,115能够在大多数低电压电路中使用。同时，它的反向电压能力适合用于电源管理和信号整流等应用。
平均整流电流（Io）：每个二极管的平均整流电流为200mA，适合于中等负载的应用场合。这一参数确保了在持续负载条件下，器件能够稳定工作而不出现过热或失效。
正向压降（Vf）：在100mA的工作电流下，正向压降为800mV。这低至的正向压降使得BAT54CW,115在相关电路中具备良好的能效表现，能够有效降低功耗，有助于延长电池供电设备的使用时间。
反向恢复时间（trr）：在小信号条件下，反向恢复时间为5ns，表明其在高频应用中表现出色。这一快速恢复能力使得BAT54CW,115非常适合用于高频开关电源和RF应用。
反向泄漏电流：在25V的反向电压下，其反向泄漏电流仅为2µA，这一指标突显了其良好的绝缘性能，适用于对泄漏电流要求严格的设计。
工作温度：该器件的结温最大可达150℃，保证了其在高温环境中的可靠性和稳定性。
封装与安装
BAT54CW,115采用SOT-323封装，具有小体积、轻量化等优点。这种表面贴装型的设计使得它在电路板上的安装更加方便，并能够有效节省空间，适合于现代紧凑型电子设备如手机、平板电脑和其他便携设备。
应用领域
由于BAT54CW,115具备以上优良特性，它的应用领域十分广泛，包括但不限于：
- 电源管理：作为整流二极管，能够提高电源转换的效率和稳定性。
- 信号调理：在信号传输中，低正向压降和快恢复特性使其非常适用于射频和小信号应用。
- 汽车电子：可用于电池管理系统及其他需要高可靠性的汽车电子产品中。
- 消费电子：广泛应用在智能手机、平板电脑、网络设备等消费电子产品的电源设计中。
结论
BAT54CW,115是一款高效能、低功耗的肖特基二极管，具有诸多优越特性，其设计和性能能够满足现代电子设备对功耗、速度和体积的要求。无论是在电源管理还是信号处理领域，BAT54CW,115都能够提供极大的便利与可靠性，是您电子设计中的理想选择。