额定功率 | 200mW | 集电极电流Ic | 500mA |
集射极击穿电压Vce | 50V | 晶体管类型 | NPN - 预偏压 |
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 500mA | 电压 - 集射极击穿(最大值) | 50V |
电阻器 - 基极 (R1) | 1 kOhms | 电阻器 - 发射极 (R2) | 10 kOhms |
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) | 56 @ 50mA,5V | 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) | 300mV @ 2.5mA,50mA |
电流 - 集电极截止(最大值) | 500nA | 频率 - 跃迁 | 200MHz |
功率 - 最大值 | 200mW | 安装类型 | 表面贴装型 |
封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | 供应商器件封装 | SOT-23-3 |
DTD113ZC-7-F是一款由美台DIODES品牌推出的NPN预偏置数字晶体管,封装形式为SOT-23,适用于表面贴装技术(SMT)。其设计旨在满足各种电子设备中对小型化、高效能和可靠性的需求。此型号的额定功率为200mW,能够支持集电极电流(Ic)高达500mA,适合多种应用场景,包括开关电路、放大电路以及数字逻辑电路等。
工作电流和电压:DTD113ZC-7-F能够在集电极电流为500mA的情况下正常工作,并且其集射极击穿电压(Vce)高达50V。这使得该晶体管在需要一定电流和电压的场合表现出色,适用于较高功率和高压的应用领域。
电流增益:在特定条件下(例如5V和50mA的Ic),其DC电流增益(hFE)能达到56的最小值。这意味着在给定的基础电流下,晶体管能够有效地放大输入信号,适合用于信号放大和开关控制。
低饱和压降:在Ic为50mA、基极电流(Ib)为2.5mA的情况下,Vce饱和压降最大仅为300mV。这一特性降低了功率损耗并提高了效率,使其在开关电路中的表现更加突出,适合高频和低功耗的应用场合。
高频响应:该产品的频率跃迁可达200MHz,支持高频信号传输和处理,因此可以广泛应用于通信设备、数字信号处理器及其他要求高速操作的系统。
小型封装:采用SOT-23封装,DTD113ZC-7-F具有轻巧、小型的特点,方便于现代电子设备的集成与布局,特别适合对空间要求严格的应用。
DTD113ZC-7-F适合多种电子应用:
开关应用:在数字电路中,作为开关元件控制电流流向。由于其良好的开关特性,尤其是在受限功率和空间的环境中,能够有效地控制设备的开/关状态。
放大电路:在音频放大器或信号传输链路中,该晶体管的高增益特性使其成为理想的选择,提高信号品质,满足用户的听觉或数据传输需求。
逻辑电路:在逻辑电路设计中,该NPN晶体管可用于构建基本的开关元件,协助实现各种逻辑功能,为微控制器和数字信号处理器提供必要的驱动能力。
通信设备:由于其高频响应特性,该产品在无线通信和移动设备中也得到了广泛应用,适合在高速数据传输中承担重要角色。
在实际电路设计中,基极 R1 和发射极 R2 的选择对于晶体管的工作状态至关重要。通常情况下,选择1 kOhm的 R1电阻适合用于大多数输入信号,而10 kOhm的 R2电阻提供了合适的偏置条件,帮助保持晶体管良好的工作状态。
总结而言,DTD113ZC-7-F是一款性能卓越、应用广泛的NPN预偏置数字晶体管,其在功率、频率以及稳定性上的出色表现,使其成为现代电子设备中不可或缺的重要元器件。在进行电子产品开发时,设计工程师可以基于其特性进行合理的电路设计,从而实现高效、可靠的产品解决方案。