DDTC114EE-7-F 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格数据手册

DDTC114EE-7-F

商品编码: BM0000280648
品牌 : 
DIODES(美台)
封装 : 
SOT523
包装 : 
编带
重量 : 
-
描述 : 
数字晶体管 150mW 50V 100mA 1个NPN-预偏置 SOT-523-3
库存 :
9232(起订量1,增量1)
批次 :
2年内
数量 :
X
0.683
按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥0.683
--
200+
¥0.227
--
1500+
¥0.142
--
3000+
¥0.098
--
45000+
产品参数
产品手册
产品概述

DDTC114EE-7-F参数

安装类型表面贴装型电流 - 集电极 (Ic)(最大值)100mA
电流 - 集电极截止(最大值)500nA电压 - 集射极击穿(最大值)50V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值)300mV @ 500µA,10mA电阻器 - 基极 (R1)10 kOhms
频率 - 跃迁250MHz功率 - 最大值150mW
电阻器 - 发射极 (R2)10 kOhms晶体管类型NPN - 预偏压
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值)30 @ 5mA,5V

DDTC114EE-7-F手册

DDTC114EE-7-F概述

DDTC114EE-7-F 产品概述

一、基本信息

DDTC114EE-7-F是一款高性能数字晶体管,采用SOT-523封装形式,主要用于表面贴装(SMD)应用。这款晶体管处于NPN-预偏压配置,特别适合在数字电路中用作开关和放大器。它的设计充分考虑了高频特性和高效率,是技术人员在设计电路时的理想选择。

二、技术参数

  1. 电流与电压规格

    • 该晶体管的最大集电极电流(Ic)为100mA,能够满足多种低功率应用场景的需求。同时,截止电流(Ices-max)高达500nA,确保设备在静态状态下的低待机功耗。
    • 集射极击穿电压(Vce_max)为50V,使其在高电压环境中也能安全可靠地工作,广泛适用于各类电源开关和驱动电路。
  2. 频率特性

    • DDTC114EE-7-F具有250MHz的跃迁频率,适合应用于高速信号处理的电路设计。这一特性确保了其在数字通信和信号处理中的灵活性和响应速度。
  3. 功率及功耗管理

    • 最大功率耗散为150mW,意味着在工作条件下,该晶体管能够有效地管理热量,避免过热,从而提升使用长期稳定性。
  4. 增益特性

    • 该元件的DC电流增益(hFE)在5mA和5V条件下的最小值为30,确保了在较小的输入电流下在输出端产生显著的电流放大效果,提升了电路的整体性能。
  5. 饱和压降

    • 在工作电流为500μA和10mA时,Vce饱和压降最大值为300mV,这低压降特性有效减少了功耗和信号失真,适合快速开关应用。

三、应用场景

DDTC114EE-7-F因其高效能和广泛的操作范围,适合用于多种电子设备,包括但不限于:

  • 开关电源:通过控制信号对电源开关进行有效管理,提高系统的工作效率。
  • 音频放大器:作为音频信号的放大器件,提高信号强度,同时减少失真。
  • 数字信号处理电路:在需要速度与效能兼具的电路中作为开关使用,尤其在RF和微波应用中表现优异。
  • 逻辑电路:在各种数字逻辑电路中作为基本开关元件,提升电路的响应速度和可靠性。

四、封装与安装

DDTC114EE-7-F采用SOT-523封装,这是一种非常紧凑的表面贴装封装,适合自动化焊接与安装,方便在现代电子产品微型化趋势中有效集成。同时,SOT-523结构提供了良好的散热性能,适应高集成度和高性能电路的需求。

五、总结

综上所述,DDTC114EE-7-F是一款具备高电流输出和集成度高、工作电压合理的数字晶体管,广泛适用于需要高速、低功耗和良好增益特性的各类电子电路。其紧凑的SOT-523封装、强悍的性能规格及广泛的应用场景,确保了在现代电子产品中得到了广泛认可。对于设计工程师来说,这款晶体管不仅能帮助他们实现更高效的电路设计,还能在产品推出市场时提供极具竞争力的性能优势。