D5V0H1B2LP-7B
D5V0H1B2LP-7B参数
| 反向关断电压（典型值） | 5.5V | 击穿电压（最小值） | 6V |
| 箝位电压 | 12.5V @ 30A | 极性 | Bidirectional |
| 峰值脉冲电流（10/1000us） | 30A (8/20us) | 类型 | 齐纳 |
| 双向通道 | 1 | 电压 - 反向断态（典型值） | 5.5V（最大） |
| 电压 - 击穿（最小值） | 6V | 不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值） | 12.5V |
| 电流 - 峰值脉冲 (10/1000µs) | 30A（8/20µs） | 功率 - 峰值脉冲 | 375W |
| 电源线路保护 | 无 | 应用 | 通用 |
| 不同频率时电容 | 85pF @ 1MHz | 工作温度 | -65°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | 0402（1006 公制） |
| 供应商器件封装 | X1-DFN1006-2 |
D5V0H1B2LP-7B手册
D5V0H1B2LP-7B概述
产品概述：D5V0H1B2LP-7B
D5V0H1B2LP-7B 是一款高性能的瞬态电压抑制二极管（TVS diode），由知名半导体制造商 DIODES（美台）出品。该器件主要用于保护插入设备或电路免受过电压冲击及瞬态电压的影响，确保有效的电源线路保护。
主要特性与规格
反向关断电压（Vr）： D5V0H1B2LP-7B 的典型反向关断电压为 5.5V，这表明在正常工作状态下，该器件能够稳定地承受高达该电压的反向电流，确保电子系统在电压波动时的可靠性。
击穿电压（Vbr）： 本产品的最小击穿电压为 6V。在超过这一电压时，器件会压导以保护下游电路。
箝位电压（Vcl）： 该器件的箝位电压为 12.5V，适用于峰值脉冲电流（Ipp）达到 30A（8/20µs）的应用场景，保证了在突发电压瞬时狂飙时下游设备的安全。
极性设计： D5V0H1B2LP-7B 采用双向设计，适合应用在需要反向电压保护的场合，能够处理正负两个方向的电压瞬变。
频率响应： 该器件在 1MHz 下的电容为 85pF，显示出良好的高频特性，适合高频信号传输的应用。
工作温度范围： 工作温度范围广泛，从 -65°C 到 150°C（TJ），使其可以在高温及低温环境下性能稳定。
封装和安装类型： D5V0H1B2LP-7B 采用表面贴装型封装（0402 或 DFN1006-2），极小的体积有助于节省电路板空间，并提升整体设计的紧凑性。
峰值脉冲功率： 该系列产品在尖峰脉冲条件下可承受高达 375W 的功率，适合严苛的电子应用，如汽车电子、计算机硬件及通信设备等。
应用场景
D5V0H1B2LP-7B 适合多种电子保护应用，特别是在电源和信号线路的瞬态电压抑制方面。以下是一些典型的应用场景：
汽车电子： 现代汽车中集成了大量的电子设备，这些设备需要防止过电压的影响，通过该款TVS二极管可以确保汽车电子系统的稳定运行。
消费电子： 例如智能手机、平板电脑和其他便携式设备都需要通过 D5V0H1B2LP-7B 进行电源保护，抵御静电放电（ESD）和其他电气干扰。
通信设备： 在网络设备、信号传输和交换机等领域，经过保护的电源线和信号线能够有效降低故障率并提高系统的可靠性。
工业设备： 适用于各类工业控制器和机器人，D5V0H1B2LP-7B 可以提高设备的耐用性和抗干扰能力。
总结
D5V0H1B2LP-7B 是一款功能强大的瞬态电压抑制二极管，具备出色的反向和击穿电压特性，搭载双向设计，适应广泛的高温和低温应用环境。在现代电子电路中，运用该器件进行电源保护能够有效提高系统的安全性和可靠性，是各类电子设计者的可靠选择。其紧凑的封装形式与强大的性能，使其在各种行业中都能发挥出色的表现。选择 D5V0H1B2LP-7B，便是选择了一份安心。