晶体管类型 | NPN | 电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 15A |
电压 - 集射极击穿(最大值) | 80V | 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) | 400mV @ 400mA,8A |
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) | 20 @ 4A,1V | 功率 - 最大值 | 83W |
频率 - 跃迁 | 50MHz | 工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型 | 通孔 | 封装/外壳 | TO-220-3 |
供应商器件封装 | TO-220AB |
D44VH10G是一款高性能的NPN晶体管,由知名半导体制造商安森美(ON Semiconductor)生产。该器件设计用于高效率的开关和放大应用,支持最大集电极电流达15A,集射极击穿电压为80V,成为多种电子电路中不可或缺的元件。其优越的电气性能使其在多个领域,包括工业控制、电源管理和音频放大等场合得到了广泛应用。
D44VH10G的关键电气参数显示出其卓越的性能。其最大集电极电流(Ic)为15A,适合需要高电流驱动的应用,而其最大集射极击穿电压(Vceo)为80V,能够满足大多数高压应用要求。在不同的Ic和Vce条件下,该器件提供的直流电流增益(hFE)最小值为20(@ 4A, 1V),这意味着它在放大信号时能够提供良好的增益性能。
此外,D44VH10G具有相对较低的饱和压降(Vce(sat)),在400mA时最大值为400mV,在8A时也能保持在同一水平。这种特性使得该器件在开关应用中表现出较小的功耗,从而提高系统的整体效率。它的功率耗散能力最高可达83W,这确保了其在高功率应用下的稳定性和可靠性。
D44VH10G的跃迁频率为50MHz,这使其在高频应用中具备一定竞争力。虽然在某些高频应用中可能需要更高性能的器件,但对于大多数工业和消费类电子应用而言,50MHz的频率足够满足大部分需求,使其能够在多种信号放大和开关场合下表现出良好的工作性能。
该器件在-55°C到150°C的工作温度范围内可安心使用,使其适合在极端环境下的应用。例如,在汽车电子、军工设备及其他需要耐高温的应用中,D44VH10G提供了很好的温度适应性,能够长期稳定工作而不发生故障。
D44VH10G采用TO-220-3封装,这种封装类型有助于有效散热并降低热阻。它的通孔安装类型也使其易于集成到各种电路板设计中,便于维修和更换。TO-220的封装设计可用于散热器的直接安装,提高了功率器件的散热效率,从而延长器件的使用寿命。
D44VH10G因其出色的性能特征广泛应用于多种电子设备中。包括:
D44VH10G是一款具备高电流、高压、良好散热性及宽温工作范围的NPN型晶体管,凭借其出色的电气性能和散热特性,适合用于多种高性能电子设备中。其应用广泛,能够满足从消费电子到工业控制的各种需求,成为现代电子设计与开发中值得信赖的解决方案。