BSS138PW,115
BSS138PW,115参数
| 漏源电压（Vdss） | 60V | 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 320mA |
| 栅源极阈值电压 | 1.5V @ 250uA | 漏源导通电阻 | 1.6Ω @ 300mA,10V |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 260mW | 类型 | N沟道 |
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 320mA（Ta） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 1.6 欧姆 @ 300mA，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 1.5V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | .8nC @ 4.5V | Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 50pF @ 10V | 功率耗散（最大值） | 260mW（Ta），830mW（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TA） | 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | SOT-323 | 封装/外壳 | SC-70，SOT-323 |
BSS138PW,115手册
BSS138PW,115概述
BSS138PW,115 产品概述
产品概述
BSS138PW,115 是一款具有高性能的 N 沟道金属氧化物半导体场效应管（MOSFET），主要应用于各种低功率开关和信号处理的电路。该器件的最大漏源电压为 60V，允许的连续漏极电流为 320mA，使其适合用于多个电子应用场景，包括开关电源、充电器、马达驱动和信号放大等。BSS138PW,115 的特性表现出色，非常适合现代电子设备对高效率和小型化的需求。
关键参数
漏源电压（Vdss）: 60V - 这表明该 MOSFET 能够在高电压环境下稳定工作，适合处理多种高电压应用。
连续漏极电流（Id）: 320mA（25°C 时） - 该参数直接影响 MOSFET 在电路中的工作能力，320mA 的额定电流足以满足大多数普通负载的需求。
栅源极阈值电压（Vgs(th)）: 1.5V @ 250µA - 较低的阈值电压使得 BSS138PW 在较低的栅压条件下就能开启，更加方便轻负载控制。
漏源导通电阻（Rds(on)）: 1.6Ω @ 300mA, 10V - 较低的导通电阻意味着在导通状态下能够有效降低功耗，并优化电路的效率。
最大功率耗散: 260mW（Ta=25°C），830mW（Tc）- 在不同温度下的功率耗散说明其适应环境的能力，在多个应用场景中保持良好的性能。
工作温度范围: -55°C ~ 150°C - 宽广的工作温度范围让该 MOSFET 可以在极端的环境中可靠工作，适合军事、航空及极端工业应用。
封装形式: SOT-323 - 小型化的SOT-323封装使得该组件非常适合尺寸受限的电子设计，提供更好的电路密度。
输入电容（Ciss）: 50pF @ 10V - 较小的输入电容有助于提高开关速度，并减少驱动信号的负担。
栅极电荷（Qg）: 0.8nC @ 4.5V - 低栅极电荷支持快速开关特性，提高了开关频率性能，满足高频应用需求。
应用领域
BSS138PW,115 被广泛应用于以下领域：
- 低功耗开关: 其优异的开关特性适合于电子开关、继电器驱动等应用。
- 信号放大: 可用于小信号的放大，有效提升弱小信号的处理能力。
- 电源管理: 在开关电源、LED驱动、充电器等电源管理系统中，提供可靠的开关控制。
- 马达控制: 适用于小型电机的控制电路，是电机驱动设计的理想选择。
总结
BSS138PW,115 是一款高效能的 N 沟道 MOSFET，整合了多项优良特性和宽广的应用范围。其能够在许多苛刻的工作环境中保持良好性能，使其成为现代电子产品设计中不可或缺的组件之一。凭借其小型化的 SOT-323 封装与低功耗特性，无论是在消费电子还是在工业领域，BSS138PW,115 都展示了其强大的适应能力和应用潜力。