FET配置(电路类型) | P沟道 | 漏源击穿电压V(BR)dss | 60V |
漏极电流(Id, 连续) | 1.9A(Ta) | 导通电阻 Rds(on) | 300毫欧 |
阈值电压Vgs(th) | 4V@250µA | 最大耗散功率 | 1.8W |
封装/外壳 | TO-261-4,TO-261AA | FET 类型 | P 通道 |
技术 | MOSFET(金属氧化物) | 漏源电压(Vdss) | 60V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 1.9A(Ta) | 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 10V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 300 毫欧 @ 1.9A,10V | 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 14nC @ 10V | Vgs(最大值) | ±20V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 410pF @ 25V | 功率耗散(最大值) | 1.8W(Ta) |
工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) | 安装类型 | 表面贴装型 |
供应商器件封装 | PG-SOT223-4 |
BSP170PH6327XTSA1 是一款高性能的 P 型 MOSFET(绝缘栅场效应晶体管),由知名半导体制造商英飞凌(Infineon)生厂。该器件专为需要高开关频率与低导通损耗的应用而设计,广泛适用于电源管理、马达控制和各种线性及开关电路的驱动。
BSP170PH6327XTSA1 采用 SOT-223 表面贴装封装,这种封装类型不仅能有效节省空间,同时也提供了良好的散热性能,适合各种精密电子产品的组装。该元件的安装类型为表面贴装,便于在自动化生产线上使用并提高生产效率。
BSP170PH6327XTSA1 主要应用领域包括但不限于以下几个方面:
随着设计技术的进步,BSP170PH6327XTSA1 具备良好的电气特性。在不同漏源电压 (Vds) 和栅源电压 (Vgs) 下,其输入电容 (Ciss) 最高可达 410pF @ 25V,栅极电荷 (Qg) 最大值为 14nC @ 10V,这使得其在开关频率较高的电路中表现出色,并能够有效降低开关损耗。
与其他型号的 MOSFET 相比,BSP170PH6327XTSA1 提供了较低的导通电阻和较高的耐压能力,这使其在最大化系统性能的同时,确保了较高的可靠性。其宽广的工作温度范围不仅使其适应各类环境条件,而且增强了产品的市场适应性。
凭借其优越的电气特性、可靠的性能和适应广泛的应用领域,BSP170PH6327XTSA1 是一种极具竞争力的 P 型 MOSFET 选择。它不仅适合用于常规的电源管理与马达控制电路,同时也为极端应用环境提供了可靠保障,能满足高效、低损耗的现代电子产品需求。选择 BSP170PH6327XTSA1,意味着选择一种能够帮助您在设计上更具灵活性并提高系统性能的高品质元器件。