BSC097N06NS
BSC097N06NS参数
| 功率(Pd) | 36W | 反向传输电容(Crss@Vds) | 32pF@30V |
| 商品分类 | 场效应管(MOSFET) | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 9.7mΩ@10V,40A |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | 栅极电荷(Qg@Vgs) | 12nC@10V |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | 输入电容(Ciss@Vds) | 1.075nF@30V |
| 连续漏极电流(Id) | 46A | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 3.3V@14uA |
BSC097N06NS手册
BSC097N06NS概述
BSC097N06NS 产品概述
一、引言
BSC097N06NS 是由英飞凌（Infineon Technologies）公司生产的一款场效应管（MOSFET），属于其高性能产品系列。此款 MOSFET 采用 PG-TDSON-8 封装，具有优异的电气性能和热管理特性，广泛应用于各种电子设备，尤其是在电源管理和电机驱动等领域，适合用于高效率和高功率密度的应用场景。
二、技术规格
BSC097N06NS 的关键技术参数包括:
- 最大漏源电压 (V_DS): 60V
- 连续漏电流 (I_D): 97A
- 门极电压 (V_GS): ±20V
- R_DS(on): 7.2mΩ（在10V门极驱动电压下）
- 总栅电荷 (Qg): 49nC（在V_GS = 10V时）
高电流承载能力及低导通电阻使得该 MOSFET 在高效能工作状态下保持低热量产生，适合于高频率和高效能的开关电源应用中。
三、封装与结构
BSC097N06NS 采用 PG-TDSON-8 封装，尺寸为 5.1mm x 5.9mm。此封装设计不仅紧凑，减小了电路板面积，同时能够有效提高散热能力。TDSON 封装的特点是较大的散热面积，可以降低器件在高功率工作时产生的热量，有助于提升电路的整体效率和可靠性。
四、应用领域
BSC097N06NS 的高效能和可靠性使得其在多个行业中的应用都具有广泛前景，例如：
DC-DC 转换器: 它可以在反激式、升压及降压型电源管理系统中广泛使用，以提高转换效率并减少电力损耗。
电机驱动: 在电动机控制系统中，如无刷直流电机和步进电机，BSC097N06NS 可协助实现更高效的功率转换和更快速的开关控制，从而提升电机的响应速度和控制精度。
新能源领域: 在太阳能逆变器、风能发电等可再生能源系统中，该高性能 MOSFET 能有效整合和优化电能利用效率。
消费电子: 例如在笔记本电脑、智能手机等产品中，作为电源开关或充电控制，确保在不同负载条件下的高效能表现。
五、优点与优势
- 高效能: BSC097N06NS 具有极低的导通电阻，使其在开关时的导通损耗大幅降低，提升整个系统的能量传输效率。
- 导通电流大: 其 97A 的额定电流能力，适配各种高功率和高负载的应用，尤其适合一些对电流要求高的场合。
- 高度可靠性: 采用英飞凌的先进生产工艺，确保产品在长期使用下的性能稳定，降低故障率。
六、结论
英飞凌的 BSC097N06NS 是一款具备高性能与高可靠性的 MOSFET 选择，适用于多种电源管理与控制应用。它低导通电阻、高电流承载能力，以及出色的热管理性能，使得它在现代电子设备中的应用越来越广泛，适合各种对高效率电源解决方案需求日益增长的场景。随着电子设备和系统对性能的不断追求，BSC097N06NS 将继续发挥其重要的角色，为推动技术进步提供支持。