BSC028N06NS 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格

BSC028N06NS

商品编码: BM0000280562
品牌 : 
Infineon(英飞凌)
封装 : 
PG-TDSON-8
包装 : 
编带
重量 : 
0.194g
描述 : 
场效应管(MOSFET) 2.5W 60V 23A 1个N沟道 TDSON-8-EP(5x6)
库存 :
14998(起订量1,增量1)
批次 :
2年内
数量 :
X
4.15
按整 :
圆盘(1圆盘有5000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥4.15
--
100+
¥3.46
--
1250+
¥3.2
--
2500+
¥3.04
--
5000+
¥2.9
--
30000+
产品参数
产品手册
产品概述

BSC028N06NS参数

功率(Pd)83W反向传输电容(Crss@Vds)56pF@30V
商品分类场效应管(MOSFET)导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)2.8mΩ@10V,50A
工作温度-55℃~+150℃栅极电荷(Qg@Vgs)49nC@10V
漏源电压(Vdss)60V类型1个N沟道
输入电容(Ciss@Vds)3.375nF@30V连续漏极电流(Id)100A
阈值电压(Vgs(th)@Id)3.3V@50uA

BSC028N06NS手册

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BSC028N06NS概述

产品概述:BSC028N06NS MOSFET

概述

BSC028N06NS 是一款由英飞凌(Infineon)生产的N沟道场效应管(MOSFET),具有卓越的电性能,广泛应用于各类电源管理和开关电源设计中。这款MOSFET具有高电流承载能力和低导通电阻,旨在实现高效的功率转换和热管理。

主要参数

  • 功率范围:最大功率为2.5W
  • 电压范围:耐压高达60V
  • 电流能力:最大漏电流为23A
  • 封装类型:PG-TDSON-8,采用紧凑型的5x6mm封装设计,适应空间有限的电路板设计
  • 结温范围:一般工作温度范围为-55℃至+150℃,适合多种应用场景

电气特性

BSC028N06NS 的关键性能指标如下:

  • 低导通电阻(RDS(on)):在接适当的栅极驱动电压后,该MOSFET的导通电阻非常低,这降低了在高电流下的功率损耗,显著提高了能效。
  • 快速开关速度:该MOSFET具备快速的开关响应能力,有助于提高开关电源的功率因数,减少开关损耗。

应用领域

BSC028N06NS广泛应用于以下领域:

  1. DC-DC转换器:常用于降压和升压转换器中,作为主开关或同步整流器,提升转换效率。
  2. 电机驱动:在电机控制应用中,MOSFET可以用于驱动电机的开关,以实现高效和精确的控制。
  3. 电源管理:适合用于移动设备和便携式设备的电源管理模块,能够提供稳定的电压和电流输出。
  4. LED驱动:在LED驱动电路中,以控制LED流过的电流,提升亮度并延长寿命。

设计优势

  • 小型封装:PG-TDSON-8 封装设计令其体积小巧,便于集成到新一代高密度电路板中。
  • 高效性能:该MOSFET采用先进的工艺技术,具有较低的导通电阻和优异的开关特性,可以大幅提高功率转换的效率,减少能量浪费。
  • 可靠性:英飞凌的产品以高可靠性著称,BSC028N06NS经过严格的测试,确保能够在苛刻环境中稳定工作。

热管理

由于高电流和高功率密度的特性,BSC028N06NS的热管理至关重要。在实际电路设计中,合理的散热方案,如使用散热片或热传导设计,可以有效降低MOSFET的工作温度,延长元件的使用寿命。

结论

总之,BSC028N06NS MOSFET是一款高性能、高可靠性的电子元器件,适用于各种先进的电源管理和开关电源应用。它不仅在紧凑的封装中提供强大的功能,还具备出色的导电性和热管理性能,是现代电子产品设计中不可或缺的关键组件之一。通过使用BSC028N06NS,设计师可以有效提升产品性能,实现更高效的电能转换,满足不断增长的市场需求。