BCP69T1G 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格

BCP69T1G

商品编码: BM0000280540
品牌 : 
ON(安森美)
封装 : 
SOT-223
包装 : 
编带
重量 : 
0.202g
描述 : 
三极管(BJT) 1.5W 20V 1A PNP SOT-223-4
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-
数量 :
X
1.47
按整 :
圆盘(1圆盘有1000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥1.47
--
50+
¥1.13
--
10000+
产品参数
产品手册
产品概述

BCP69T1G参数

晶体管类型PNP电流 - 集电极 (Ic)(最大值)1A
电压 - 集射极击穿(最大值)20V不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值)500mV @ 100mA,1A
电流 - 集电极截止(最大值)10µA(ICBO)不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值)85 @ 500mA,1V
功率 - 最大值1.5W频率 - 跃迁60MHz
工作温度-65°C ~ 150°C(TJ)安装类型表面贴装型
封装/外壳TO-261-4,TO-261AA供应商器件封装SOT-223

BCP69T1G手册

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BCP69T1G概述

产品概述:BCP69T1G PNP 晶体管

概述

BCP69T1G 是一种高性能的 PNP 型双极性晶体管 (BJT),专门设计用于需要中等功率和高信号增益的应用。它由安森美半导体(ON Semiconductor)生产,具备卓越的电气性能以及宽广的工作温度范围,适合多种电子电路的设计需求。

主要参数

  • 晶体管类型: PNP
  • 最大集电极电流 (Ic): 1A
  • 最大集射极击穿电压 (Vce): 20V
  • 最大饱和压降 (Vce(sat)): 500mV @ 100mA,1A
  • 集电极截止电流 (ICBO): 10µA
  • 最低直流电流增益 (hFE): 85 @ 500mA,1V
  • 最大功率: 1.5W
  • 频率跃迁: 60MHz
  • 工作温度范围: -65°C 到 150°C
  • 封装类型: SOT-223
  • 安装类型: 表面贴装型

电气性能

BCP69T1G 的电流增益和低饱和压降使其能够有效放大输入信号,实现高效能的驱动。其典型的 hFE 值为 85,这表明在 500mA 的集电极电流下,BCP69T1G 仍能保持稳定的增益性能。此外,具有 可接受的饱和压降,对于那些对功率损耗敏感的应用,能够提供较好的能效比。

BCP69T1G 的最大集电极电流为 1A,意味着它可以在相对较大的负载条件下工作,而其 20V 的击穿电压则为电源设计提供了宽容许度。这使得 BCP69T1G 适用于如电源开关、功率放大器等要求高电流和高电压的应用场合。

封装与安装

BCP69T1G 采用 SOT-223 封装,适合表面贴装技术 (SMT),其小型化的封装使得它非常适合于空间受限的电子电路设计。SOT-223 封装不仅提供了良好的散热性能,还确保了产品在高功率条件下的稳定性和可靠性。

应用领域

BCP69T1G 的设计使其广泛应用于:

  • 小型功率放大器
  • 开关电源
  • 马达驱动电路
  • 音频放大器
  • 开关电路
  • 高频 RF 应用

不论是用于消费电子、工业设备还是汽车电子,BCP69T1G 都能提供可靠的性能。

工作温度与可靠性

BCP69T1G 的工作温度范围为 -65°C 到 150°C,这使得它在极为严苛的环境条件下仍然能够稳定工作。无论是在寒冷的外部环境还是高温的设备内部,BCP69T1G 都表现出色,确保应用的长期稳定性和可靠性。

结论

综上所述,BCP69T1G 是一款面向高可靠性与高效能需求的 PNP 晶体管,凭借其优越的电气性能,广泛的应用场景及先进的封装设计,成为设计师在开发高功率和高频产品时的理想选择。对于寻求高效能、低功耗和稳定性的设计方案的工程师而言,BCP69T1G 无疑是一个出色的解决方案。