晶体管类型 | PNP | 电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 1A |
电压 - 集射极击穿(最大值) | 20V | 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) | 500mV @ 100mA,1A |
电流 - 集电极截止(最大值) | 10µA(ICBO) | 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) | 85 @ 500mA,1V |
功率 - 最大值 | 1.5W | 频率 - 跃迁 | 60MHz |
工作温度 | -65°C ~ 150°C(TJ) | 安装类型 | 表面贴装型 |
封装/外壳 | TO-261-4,TO-261AA | 供应商器件封装 | SOT-223 |
BCP69T1G 是一种高性能的 PNP 型双极性晶体管 (BJT),专门设计用于需要中等功率和高信号增益的应用。它由安森美半导体(ON Semiconductor)生产,具备卓越的电气性能以及宽广的工作温度范围,适合多种电子电路的设计需求。
BCP69T1G 的电流增益和低饱和压降使其能够有效放大输入信号,实现高效能的驱动。其典型的 hFE 值为 85,这表明在 500mA 的集电极电流下,BCP69T1G 仍能保持稳定的增益性能。此外,具有 可接受的饱和压降,对于那些对功率损耗敏感的应用,能够提供较好的能效比。
BCP69T1G 的最大集电极电流为 1A,意味着它可以在相对较大的负载条件下工作,而其 20V 的击穿电压则为电源设计提供了宽容许度。这使得 BCP69T1G 适用于如电源开关、功率放大器等要求高电流和高电压的应用场合。
BCP69T1G 采用 SOT-223 封装,适合表面贴装技术 (SMT),其小型化的封装使得它非常适合于空间受限的电子电路设计。SOT-223 封装不仅提供了良好的散热性能,还确保了产品在高功率条件下的稳定性和可靠性。
BCP69T1G 的设计使其广泛应用于:
不论是用于消费电子、工业设备还是汽车电子,BCP69T1G 都能提供可靠的性能。
BCP69T1G 的工作温度范围为 -65°C 到 150°C,这使得它在极为严苛的环境条件下仍然能够稳定工作。无论是在寒冷的外部环境还是高温的设备内部,BCP69T1G 都表现出色,确保应用的长期稳定性和可靠性。
综上所述,BCP69T1G 是一款面向高可靠性与高效能需求的 PNP 晶体管,凭借其优越的电气性能,广泛的应用场景及先进的封装设计,成为设计师在开发高功率和高频产品时的理想选择。对于寻求高效能、低功耗和稳定性的设计方案的工程师而言,BCP69T1G 无疑是一个出色的解决方案。