晶体管类型 | PNP | 集电极电流Ic | 1A |
集射极击穿电压Vce | 45V | 额定功率 | 2W |
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 1A | 电压 - 集射极击穿(最大值) | 45V |
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) | 500mV @ 50mA,500mA | 电流 - 集电极截止(最大值) | 100nA(ICBO) |
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) | 40 @ 150mA,2V | 功率 - 最大值 | 2W |
频率 - 跃迁 | 125MHz | 工作温度 | -65°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | TO-261-4,TO-261AA |
供应商器件封装 | SOT-223 |
BCP51TA 是一款高性能的 PNP 型晶体管,由 DIODES(美台)公司制造,专为各种电子应用提供可靠的性能。其设计能够满足高达 1A 的集电极电流和 45V 的集射极击穿电压,适用于功率放大、开关电路和信号处理等场景。这款晶体管采用了 SOT-223 封装,具有优良的散热特性与紧凑的外形,使其适合表面贴装(SMT)工艺,有助于提高生产效率和可靠性。
BCP51TA 的核心参数包括:
这些参数通过精细的设计和优质的材料,确保该晶体管在不同的工作条件下保持稳定的性能。
BCP51TA 适合广泛的应用领域,包括但不限于:
在设计应用电路时,使用 BCP51TA 时应考虑以下几个要点:
BCP51TA 是一款卓越的 PNP 型晶体管,凭借其可靠的性能和广泛的应用潜力,已经成为各类电子设备中不可或缺的核心元器件。无论是在音频放大、开关应用还是其他高频使用场景,BCP51TA 都能满足设计工程师的高标准要求。通过合理的设计与使用,它可以在各类电路中实现卓越的功率控制和信号处理。对于追求质量和性能的设计师来说,BCP51TA 无疑是一个值得信赖的选择。