BC857BS,115 产品实物图片
BC857BS,115 产品实物图片
商品图片1
商品图片2
商品图片3
注:图像仅供参考,请参阅产品规格数据手册

BC857BS,115

商品编码: BM0000280534
品牌 : 
Nexperia(安世)
封装 : 
6-TSSOP
包装 : 
编带
重量 : 
0.022g
描述 : 
三极管(BJT) 200mW 45V 100mA PNP SOT-363-6
库存 :
111586(起订量1,增量1)
批次 :
2年内
数量 :
X
0.612
按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥0.612
--
200+
¥0.205
--
1500+
¥0.128
--
45000+
产品参数
产品手册
产品概述

BC857BS,115参数

额定功率200mW集电极电流Ic100mA
集射极击穿电压Vce45V晶体管类型PNP
电流 - 集电极 (Ic)(最大值)100mA电压 - 集射极击穿(最大值)45V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值)400mV @ 5mA,100mA电流 - 集电极截止(最大值)15nA(ICBO)
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值)200 @ 2mA,5V功率 - 最大值200mW
频率 - 跃迁100MHz工作温度150°C(TJ)
安装类型表面贴装型封装/外壳6-TSSOP,SC-88,SOT-363
供应商器件封装6-TSSOP

BC857BS,115手册

BC857BS,115概述

BC857BS,115 产品概述

1. 概述

BC857BS,115 是一款由安世半导体(Nexperia)生产的高性能 PNP型晶体管(BJT)。其设计应用于各种电子电路中,以实现信号放大和开关控制。该器件在小型 6-TSSOP 封装中提供了灵活的安装选项,适合表面贴装技术(SMT)的需求,从而大大提高了设备的小型化和集成度。

2. 主要参数

  • 额定功率: 200mW
  • 集电极电流(Ic): 最大100mA
  • 集射极击穿电压(Vce): 最大45V
  • 饱和压降: 在特定的集电极电流(Ic)下,最大为400mV(在5mA和100mA的工作状态下)
  • 集电极截止电流(ICBO): 最大15nA
  • 直流电流增益(hFE): 最小值为200(在2mA和5V条件下)
  • 频率 - 跃迁: 100MHz
  • 工作温度范围: 可达150°C(TJ)

3. 应用领域

BC857BS,115晶体管广泛应用于各种电子电路中,主要包括:

  • 开关电路: 由于其较高的集电极电流能力和低饱和压降,BC857BS,115可以有效地用于低功耗的开关应用,例如电源管理和负载控制。
  • 信号放大: 在音频和射频(RF)应用中,该晶体管由于良好的增益特性,可用于信号放大器和驱动器。
  • 线性放大器: BC857BS,115在需要线性放大的场合表现良好,适合用于音频放大、传感器信号处理等领域。
  • 多通道电路: 其较小的封装与良好的电性能使其成为多通道电路(如UART, I2C)的理想选择。

4. 设计与性能优势

BC857BS,115 PNP型晶体管具有出色的电气性能与设计灵活性,具备以下优势:

  • 高增益小信号特性: 较高的直流电流增益意味着在驱动负载时,所需的基极电流(Ib)较小,从而简化控制电路设计。
  • 小型封装: SOT-363封装的尺寸使得BC857BS,115非常适合于空间有限的应用,如便携式设备和移动电子产品。
  • 宽工作温度范围: 150°C的工作温度限制使该器件可以在严格的环境中稳定工作,增大了设计的灵活性。
  • 低功耗特性: 典型的集电极截止电流(ICBO)达到了极低的15nA,允许设备在待机状态时具有更低的能耗。

5. 封装信息

BC857BS,115采用6-TSSOP封装,符合表面贴装技术(SMT)标准,适合现代PCB设计。该封装形式不仅可以减小电子产品的体积,还能提升其可靠性和散热能力。

6. 结论

整体而言,BC857BS,115是一款体积小、性能卓越的PNP晶体管,适合在各种电子设计中实现高效的信号处理与控制。凭借其出色的参数规格以及广泛的应用领域,它将为电子工程师提供更多设计自由度和灵活性。无论是用于音频放大、开关电源,还是其他需要高增益的应用场合,BC857BS,115都是理想的选择。