额定功率 | 200mW | 集电极电流Ic | 100mA |
集射极击穿电压Vce | 45V | 晶体管类型 | PNP |
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 100mA | 电压 - 集射极击穿(最大值) | 45V |
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) | 400mV @ 5mA,100mA | 电流 - 集电极截止(最大值) | 15nA(ICBO) |
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) | 200 @ 2mA,5V | 功率 - 最大值 | 200mW |
频率 - 跃迁 | 100MHz | 工作温度 | 150°C(TJ) |
安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 |
供应商器件封装 | 6-TSSOP |
BC857BS,115 是一款由安世半导体(Nexperia)生产的高性能 PNP型晶体管(BJT)。其设计应用于各种电子电路中,以实现信号放大和开关控制。该器件在小型 6-TSSOP 封装中提供了灵活的安装选项,适合表面贴装技术(SMT)的需求,从而大大提高了设备的小型化和集成度。
BC857BS,115晶体管广泛应用于各种电子电路中,主要包括:
BC857BS,115 PNP型晶体管具有出色的电气性能与设计灵活性,具备以下优势:
BC857BS,115采用6-TSSOP封装,符合表面贴装技术(SMT)标准,适合现代PCB设计。该封装形式不仅可以减小电子产品的体积,还能提升其可靠性和散热能力。
整体而言,BC857BS,115是一款体积小、性能卓越的PNP晶体管,适合在各种电子设计中实现高效的信号处理与控制。凭借其出色的参数规格以及广泛的应用领域,它将为电子工程师提供更多设计自由度和灵活性。无论是用于音频放大、开关电源,还是其他需要高增益的应用场合,BC857BS,115都是理想的选择。