BC857A,215
BC857A,215参数
| 额定功率 | 250mW | 集电极电流Ic | 100mA |
| 集射极击穿电压Vce | 45V | 晶体管类型 | PNP |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） | 100mA | 电压 - 集射极击穿（最大值） | 45V |
| 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值） | 650mV @ 5mA，100mA | 电流 - 集电极截止（最大值） | 15nA（ICBO） |
| 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值） | 125 @ 2mA，5V | 功率 - 最大值 | 250mW |
| 频率 - 跃迁 | 100MHz | 工作温度 | 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 供应商器件封装 | TO-236AB |
BC857A,215手册
BC857A,215概述
BC857A,215 产品概述
概述 BC857A,215是一款高性能的PNP型晶体管，专为低功耗和高效能应用而设计。该三极管具有250mW的额定功率，能够承受最高45V的集射极击穿电压（Vce），同时允许最大集电极电流（Ic）达到100mA。这款产品主要应用于信号放大和开关控制电路，广泛应用于消费电子、工业控制及电子设备的各个方面。
关键特性
额定功率与击穿电压：BC857A具有250mW的额定功率和45V的集射极击穿电压，确保其在多种电压范围内稳定工作。这一特性使其适用于各种电子设备的信号处理和功率放大。
电流特性：在最大集电极电流（Ic）100mA下，该晶体管保持良好的性能。此外，Vce饱和压降最大值为650mV（在5mA和100mA下），意味着当晶体管处于导通状态时，能有效减少功率损耗，为电路的高效能运行提供保障。
低截止电流：BC857A的集电极截止电流（ICBO）最大值为15nA，这一低值意味着该晶体管在非工作状态下的功耗极低，从而有利于提高电路的整体能效。
高增益特性：在不同的Ic和Vce条件下，BC857A的直流电流增益（hFE）最低可达到125（在2mA和5V下），这使它能够在信号放大时提供出色的增益，满足高增益应用的需求。
高频特性：该产品的频率跃迁特性可达100MHz，使BC857A能够支持高速信号处理，适用于高频应用的需求。
耐高温：BC857A具有150°C的工作温度（TJ），增强了其在高温环境下的可靠性，适合用在严酷的工作条件中的电子设备。
适宜的封装：采用TO-236AB（SOT-23）封装，旨在提供紧凑型解决方案，适合现代小型化电子产品的设计要求。其表面贴装型安装方式方便了自动化生产和更高效的制造过程。
应用场景 BC857A晶体管特别适合于各种需要高效率与紧凑设计的电子应用，例如：
- 信号放大器：用于音频和射频信号的放大。
- 开关电路：在低功率开关和控制电路中的应用，加强电路的控制能力。
- 消费电子：广泛应用于电视、音响、机顶盒等消费电子设备中，处理各种音频和视频信号。
- 工业控制：在传感器、执行器和其他控制元件中，充当核心控制元件，提高整体系统的稳定性和可靠性。
总结 BC857A,215凭借其优秀的技术参数、广泛的应用范围以及高效的工作性能，成为现代电子设计中不可或缺的选择。无论是用于基本的信号放大，还是在复杂的工业控制系统中，该PNP晶体管都能展现出卓越的能力，满足各种客户需求。安世半导体（Nexperia）的这一产品，以其可靠性和优越性能，助力设计师和工程师打造高效、稳定的电子产品。