BC850C,215 产品实物图片
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BC850C,215

商品编码: BM0000280532
品牌 : 
Nexperia(安世)
封装 : 
TO-236AB
包装 : 
编带
重量 : 
0.036g
描述 : 
三极管(BJT) 250mW 45V 100mA NPN SOT-23-3
库存 :
18052(起订量1,增量1)
批次 :
24+
数量 :
X
0.487
按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥0.487
--
200+
¥0.163
--
1500+
¥0.101
--
45000+
产品参数
产品手册
产品概述

BC850C,215参数

晶体管类型NPN集电极电流Ic100mA
集射极击穿电压Vce45V额定功率250mW
电流 - 集电极 (Ic)(最大值)100mA电压 - 集射极击穿(最大值)45V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值)600mV @ 5mA,100mA电流 - 集电极截止(最大值)15nA(ICBO)
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值)420 @ 2mA,5V功率 - 最大值250mW
频率 - 跃迁100MHz工作温度150°C(TJ)
安装类型表面贴装型封装/外壳TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供应商器件封装TO-236AB

BC850C,215手册

BC850C,215概述

BC850C,215 产品概述

BC850C,215 是一种高性能的 NPN 型晶体管,广泛用于各种电子电路中,如信号放大、开关控制和电源管理等应用。其出色的电气特性和紧凑的封装设计,使其成为现代电子设备不可或缺的基础组件之一。

主要参数

  • 晶体管类型:NPN
  • 最大集电极电流 (Ic):100 mA
  • 集射极击穿电压 (Vce):45 V
  • 额定功率:250 mW
  • 最大集电极截止电流 (ICBO):15 nA
  • 饱和压降 (Vce(sat)):600 mV @ 5 mA, 100 mA
  • 直流电流增益 (hFE):420 @ 2 mA, 5V(最小值)
  • 工作频率:100 MHz
  • 工作温度范围:最高可达 150°C(TJ)
  • 安装类型:表面贴装型 (SMD)
  • 封装类型:TO-236AB (也称 SC-59, SOT-23-3)

性能特征

BC850C,215 在电气特性上具有出色的表现。其集电极电流最大可达 100 mA,能够满足大多数中小功率应用的需求。其集射极击穿电压高达 45 V,提供了良好的过压保护能力,适合在较高电压的电路中使用。同时,具有 250 mW 的额定功率,多种工作条件下均可保持稳定性能。

其直流电流增益 (hFE) 达到 420,标明了该器件在作为放大器时的优良性能,这对于音频信号放大、传感器信号处理等应用尤为重要。该晶体管的 Vce 饱和压降在相对较低的电流下,仅为 600 mV,这意味着在开关操作时损耗较小,能够提高整体电路的效率。

应用场景

BC850C,215 可广泛应用于各类电子设备中,例如:

  1. 音频放大器:凭借其高增益和低噪声特性,能有效放大音频信号。
  2. 开关电路:可用于控制大功率负载的开关,适用于继电器驱动、电机控制等领域。
  3. 信号处理:该晶体管可用于低频到高频信号的处理,确保信号完整性。
  4. 传感器应用:在温度、压力、光照等传感器的信号放大中,提供可靠的性能。
  5. 电源管理:作为调节电源供给的组件,BC850C,215 能够保证电压与电流的稳定性。

封装与安装

BC850C,215 的封装采用 SOT-23-3 的小型表面贴装设计。这种设计不仅使其适合现代电子产品的小型化需求,同时也支持自动化生产线的贴装工艺,提高装配效率。TO-236AB 封装的引脚间距与布局非常适用于各种PCB设计,确保了更好的电路布线灵活性。

总结

BC850C,215 是一款性能卓越的 NPN 晶体管,结合了高电压、大电流、低功耗和高增益的优点。其可靠的电气性能和紧凑的封装设计,使其适用于多种电子应用,满足现代电子设备对高性能组件的需求。无论是在消费电子、通信设备还是工业控制系统,BC850C,215 都能提供必需的性能支持,是设计工程师和开发人员理想的选择。