晶体管类型 | NPN | 集电极电流Ic | 100mA |
集射极击穿电压Vce | 45V | 额定功率 | 250mW |
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 100mA | 电压 - 集射极击穿(最大值) | 45V |
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) | 600mV @ 5mA,100mA | 电流 - 集电极截止(最大值) | 15nA(ICBO) |
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) | 420 @ 2mA,5V | 功率 - 最大值 | 250mW |
频率 - 跃迁 | 100MHz | 工作温度 | 150°C(TJ) |
安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
供应商器件封装 | TO-236AB |
BC850C,215 是一种高性能的 NPN 型晶体管,广泛用于各种电子电路中,如信号放大、开关控制和电源管理等应用。其出色的电气特性和紧凑的封装设计,使其成为现代电子设备不可或缺的基础组件之一。
BC850C,215 在电气特性上具有出色的表现。其集电极电流最大可达 100 mA,能够满足大多数中小功率应用的需求。其集射极击穿电压高达 45 V,提供了良好的过压保护能力,适合在较高电压的电路中使用。同时,具有 250 mW 的额定功率,多种工作条件下均可保持稳定性能。
其直流电流增益 (hFE) 达到 420,标明了该器件在作为放大器时的优良性能,这对于音频信号放大、传感器信号处理等应用尤为重要。该晶体管的 Vce 饱和压降在相对较低的电流下,仅为 600 mV,这意味着在开关操作时损耗较小,能够提高整体电路的效率。
BC850C,215 可广泛应用于各类电子设备中,例如:
BC850C,215 的封装采用 SOT-23-3 的小型表面贴装设计。这种设计不仅使其适合现代电子产品的小型化需求,同时也支持自动化生产线的贴装工艺,提高装配效率。TO-236AB 封装的引脚间距与布局非常适用于各种PCB设计,确保了更好的电路布线灵活性。
BC850C,215 是一款性能卓越的 NPN 晶体管,结合了高电压、大电流、低功耗和高增益的优点。其可靠的电气性能和紧凑的封装设计,使其适用于多种电子应用,满足现代电子设备对高性能组件的需求。无论是在消费电子、通信设备还是工业控制系统,BC850C,215 都能提供必需的性能支持,是设计工程师和开发人员理想的选择。