BC847BW-7-F 产品实物图片
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BC847BW-7-F

商品编码: BM0000280530
品牌 : 
DIODES(美台)
封装 : 
SOT323
包装 : 
编带
重量 : 
0.031g
描述 : 
三极管(BJT) 200mW 45V 100mA NPN SOT-323-3
库存 :
5621(起订量1,增量1)
批次 :
2年内
数量 :
X
0.661
按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥0.661
--
200+
¥0.22
--
1500+
¥0.138
--
3000+
¥0.095
--
30000+
产品参数
产品手册
产品概述

BC847BW-7-F参数

晶体管类型NPN集电极电流Ic100mA
集射极击穿电压Vce45V额定功率200mW
电流 - 集电极 (Ic)(最大值)100mA电压 - 集射极击穿(最大值)45V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值)600mV @ 5mA,100mA电流 - 集电极截止(最大值)20nA(ICBO)
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值)200 @ 2mA,5V功率 - 最大值200mW
频率 - 跃迁300MHz工作温度-65°C ~ 150°C(TJ)
安装类型表面贴装型封装/外壳SC-70,SOT-323
供应商器件封装SOT-323

BC847BW-7-F手册

BC847BW-7-F概述

BC847BW-7-F 产品概述

产品简介

BC847BW-7-F是一款低功耗NPN型双极晶体管(BJT),由知名电子元件制造商DIODES(美台公司)生产。该晶体管采用SOT-323封装,具有出色的电气性能和可靠性,适用于多种电子电路中的信号放大和开关应用。凭借其较高的频率响应和适应严苛工作环境的能力,BC847BW-7-F已成为工程师的首选元器件之一。

关键电气参数

  • 晶体管类型: NPN
  • 集电极电流(Ic): 最大100mA,适合多种应用场合。
  • 集射极击穿电压(Vce): 最大45V,能够承受中等电压的工作环境。
  • 功率最大值: 200mW,确保在高温和高负载条件下的稳定性。
  • 其他电气特性:
    • Vce饱和压降:最大600mV(在Ic为5mA和100mA时)。
    • 断态电流(ICBO):最大20nA,低漏电特性提升整体电路效能。
    • DC电流增益(hFE):最小200,能够提供较强的放大效果,适用于多种应用。

频率响应

BC847BW-7-F具备优异的频率特点,其跃迁频率可达300MHz,这使得该器件非常适合用于高频应用,例如RF放大器和高频开关电路。其良好的频率响应确保了信号在传播过程中的质量,不会因为频率过高而出现衰减或失真。

工作温度范围

该晶体管可以在-65°C至150°C的极端温度条件下稳定工作,这使得BC847BW-7-F理想用于各种恶劣环境中的工业和消费电子产品,从汽车电子到各种便携式电子设备均能放心使用。

封装与安装类型

BC847BW-7-F采用表面贴装型设计,封装规格为SOT-323。这种紧凑的封装相关技术不仅提高了空间利用率,还增强了安置的便利性。适合自动贴片工艺,广泛应用于现代的PCB设计中,尤其是在空间受限的情况下。

应用领域

BC847BW-7-F广泛应用于诸如音频放大器、信号调制解调器、开关电源、传感器接口、射频信号处理等领域。其优越的性能表现与小巧的封装形状使其非常适合在多种消费电子、通讯产品及工业设备中使用。

竞争优势

  1. 高可靠性:由DIODES制造,具备极高的品质保障,适合各种高要求应用。
  2. 广泛的温度兼容性:可在极低和极高的工作温度下运行,适合多种工业应用。
  3. 强大的电流增益:相对较高的hFE值使其在低电流情况下依然能够提供明显的信号放大,适应不同需求。
  4. 紧凑封装:SOT-323封装使得PCB设计更加灵活,适应现代电子设备日益紧凑的空间需求。

结论

BC847BW-7-F是一款高性能的NPN晶体管,其高集电极电流能力、适宜的电压等级以及宽广的工作温度范围使其成为市场上广泛使用的元器件之一。无论是在音频应用、电子开关还是信号放大环境中,BC847BW-7-F凭借其可靠性及稳定性都表现卓越,能够满足设计工程师对现代电子产品的高效能需求。