直流反向耐压(Vr) | 40V | 平均整流电流(Io) | 120mA |
正向压降(Vf) | 380mV @ 1mA | 二极管类型 | 肖特基 |
电压 - DC 反向 (Vr)(最大值) | 40V | 电流 - 平均整流 (Io) | 120mA(DC) |
不同 If 时电压 - 正向 (Vf) | 380mV @ 1mA | 速度 | 小信号 =< 200mA(Io),任意速度 |
反向恢复时间 (trr) | 5ns | 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏 | 100nA @ 30V |
不同 Vr、F 时电容 | 5pF @ 0V,1MHz | 安装类型 | 表面贴装型 |
封装/外壳 | SC-79,SOD-523 | 供应商器件封装 | SOD-523 |
工作温度 - 结 | -55°C ~ 125°C |
BAS40-02V-V-G-08 是一款由威世(VISHAY)公司制造的高性能肖特基二极管,采用SOD-523封装,具有优异的电气性能和广泛的应用场景。肖特基二极管以其低正向压降及快速开关特性,在电源管理、整流和信号处理电路中愈发受到青睐。
反向耐压(Vr): 该二极管的最大直流反向耐压为40V,适合于多种中高压应用。这一特性使得BAS40-02V-V-G-08能够在较为苛刻的电气环境中稳定工作。
整流电流(Io): 平均整流电流为120mA,确保在一般使用情况下,各种负载电流下均能保持良好性能。这使得其在消费电子设备中得以广泛应用,如开关电源、充电器和LED驱动电路。
正向压降(Vf): 在高达1mA的条件下,正向压降为380mV,表现出非常低的功耗。低正向压降意味着在作整流时,该二极管能够减少能量损耗,提高能效。
反向恢复时间(trr): 反向恢复时间为5ns,确保了快速开关性能,使其能在高频率的操作下可靠运行。这一特性在通讯、电视和射频应用中尤为重要。
反向泄漏电流: 在30V的反向电压下,反向泄漏电流仅为100nA,显示出其优异的密封性和低泄漏特性,进一步提升了电路的稳定性和可靠性。
电容特性: 在0V、1MHz条件下,该二极管的电容值为5pF,适用于高频率信号处理。
BAS40-02V-V-G-08 由于其优越的性能,广泛应用于以下领域:
BAS40-02V-V-G-08 以其高性能的电气特性和出色的环境适应性,为电子设计工程师提供了一个可靠的解决方案。它不仅满足了现代电子产品对高效、低能耗以及高频性能的要求,还具备了兼容性和耐用性。因此,BAS40-02V-V-G-08 应被视为选择肖特基二极管时的理想选择之一,无论是在民用、工业还是通讯设备领域。