反向恢复时间(trr) | 50ns | 直流反向耐压(Vr) | 300V |
平均整流电流(Io) | 250mA | 正向压降(Vf) | 1.1V @ 100mA |
二极管类型 | 标准 | 电压 - DC 反向 (Vr)(最大值) | 300V |
电流 - 平均整流 (Io) | 250mA(DC) | 不同 If 时电压 - 正向 (Vf) | 1.1V @ 100mA |
速度 | 快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) | 反向恢复时间 (trr) | 50ns |
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏 | 150nA @ 250V | 不同 Vr、F 时电容 | 2pF @ 0V,1MHz |
安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | SC-90,SOD-323F |
供应商器件封装 | SOD-323F | 工作温度 - 结 | 150°C(最大) |
BAS21J,115 是由知名半导体制造商 Nexperia(安世)公司提供的一款高性能开关二极管。它专为各种电子应用设计,具备优良的电气特性和工作稳定性,广泛适用于信号调制、开关电路及电源管理等领域。
该二极管的主要参数如下:
BAS21J,115 的反向恢复时间仅为50ns,适合在要求快速开关速度的电路中使用。其最大直流反向耐压为300V,确保在高压应用中的安全性和可靠性。平均整流电流250mA的规格使得该二极管在多种应用中均能稳定运行。
此外,其在100mA时的正向压降为1.1V,这一参数虽然对多数小信号应用来说属于正常范围,但在低功耗设计中,仍需考虑其影响。该二极管的低反向泄漏电流(150nA @ 250V)进一步增强了其在高压应用中的能效表现,降低了功耗损失。
BAS21J,115 采用 SOD-323F 封装,这是一种表面贴装型设计,适合自动化焊接,且占用空间小。这使得其在PCB布局上更加灵活,特别是在需要高密度集成的设计中表现突出。
该型号的结温工作范围可达150°C,使得 BAS21J,115 在恶劣环境下也能保持稳定性能。然而,在新设计中,需仔细计算热管理,确保其长期可靠运行。
BAS21J,115 适合于如下应用场景:
BAS21J,115 以其优越的性能和可靠性在市场中占据了一席之地,尤其是在经济性和功耗方面相较于同类产品具有更好的表现。其制造商 Nexperia 作为全球领先的半导体公司,凭借强大的研发能力和丰富的行业经验,保证了该产品在质量和性能上的优越性。
总的来说,BAS21J,115 是一款具有高效能、可靠的开关二极管,适合于现代电子设备的多种应用要求。无论是在性能还是应用场景方面,它都展现了强大的适用性,为设计人员提供了灵活且有效的解决方案。