BAS21J,115 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格数据手册

BAS21J,115

商品编码: BM0000280497
品牌 : 
Nexperia(安世)
封装 : 
SOD-323F
包装 : 
编带
重量 : 
0.034g
描述 : 
开关二极管 独立式 1.1V@100mA 300V 250mA SOD-323F
库存 :
212678(起订量1,增量1)
批次 :
2年内
数量 :
X
0.334
按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥0.334
--
200+
¥0.111
--
1500+
¥0.0696
--
45000+
产品参数
产品手册
产品概述

BAS21J,115参数

反向恢复时间(trr)50ns直流反向耐压(Vr)300V
平均整流电流(Io)250mA正向压降(Vf)1.1V @ 100mA
二极管类型标准电压 - DC 反向 (Vr)(最大值)300V
电流 - 平均整流 (Io)250mA(DC)不同 If 时电压 - 正向 (Vf)1.1V @ 100mA
速度快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)反向恢复时间 (trr)50ns
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏150nA @ 250V不同 Vr、F 时电容2pF @ 0V,1MHz
安装类型表面贴装型封装/外壳SC-90,SOD-323F
供应商器件封装SOD-323F工作温度 - 结150°C(最大)

BAS21J,115手册

BAS21J,115概述

BAS21J,115 产品概述

1. 概述

BAS21J,115 是由知名半导体制造商 Nexperia(安世)公司提供的一款高性能开关二极管。它专为各种电子应用设计,具备优良的电气特性和工作稳定性,广泛适用于信号调制、开关电路及电源管理等领域。

2. 关键参数

该二极管的主要参数如下:

  • 反向恢复时间 (trr):50ns
  • 直流反向耐压 (Vr):最高可达300V
  • 平均整流电流 (Io):250mA
  • 正向压降 (Vf):1.1V @ 100mA
  • 速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
  • 反向泄漏电流:150nA @ 250V
  • 电容特性:2pF @ 0V,1MHz
  • 工作温度范围:最高150°C(结温)
  • 封装类型:SOD-323F(表面贴装型)

3. 电气特性与应用

BAS21J,115 的反向恢复时间仅为50ns,适合在要求快速开关速度的电路中使用。其最大直流反向耐压为300V,确保在高压应用中的安全性和可靠性。平均整流电流250mA的规格使得该二极管在多种应用中均能稳定运行。

此外,其在100mA时的正向压降为1.1V,这一参数虽然对多数小信号应用来说属于正常范围,但在低功耗设计中,仍需考虑其影响。该二极管的低反向泄漏电流(150nA @ 250V)进一步增强了其在高压应用中的能效表现,降低了功耗损失。

4. 封装与安装

BAS21J,115 采用 SOD-323F 封装,这是一种表面贴装型设计,适合自动化焊接,且占用空间小。这使得其在PCB布局上更加灵活,特别是在需要高密度集成的设计中表现突出。

5. 温度特性

该型号的结温工作范围可达150°C,使得 BAS21J,115 在恶劣环境下也能保持稳定性能。然而,在新设计中,需仔细计算热管理,确保其长期可靠运行。

6. 应用场景

BAS21J,115 适合于如下应用场景:

  • 开关电源:用于电源转换中,能够快速切换以提高电路效率。
  • 信号处理电路:适合用于高频信号调制和检测,确保信号完整性。
  • 电池管理系统:在充放电过程中提供低阻抗路径,保证设备的安全和效率。
  • 保护电路:用作电路的整流和保护元件,防止反向电流冲击对其他器件造成损害。

7. 竞争优势

BAS21J,115 以其优越的性能和可靠性在市场中占据了一席之地,尤其是在经济性和功耗方面相较于同类产品具有更好的表现。其制造商 Nexperia 作为全球领先的半导体公司,凭借强大的研发能力和丰富的行业经验,保证了该产品在质量和性能上的优越性。

结论

总的来说,BAS21J,115 是一款具有高效能、可靠的开关二极管,适合于现代电子设备的多种应用要求。无论是在性能还是应用场景方面,它都展现了强大的适用性,为设计人员提供了灵活且有效的解决方案。