直流反向耐压(Vr) | 20V | 平均整流电流(Io) | 1A |
正向压降(Vf) | 600mV @ 1A | 二极管类型 | 肖特基 |
电压 - DC 反向 (Vr)(最大值) | 40V | 电流 - 平均整流 (Io) | 1A |
不同 If 时电压 - 正向 (Vf) | 600mV @ 1A | 速度 | 快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) |
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏 | 1mA @ 40V | 不同 Vr、F 时电容 | 120pF @ 4V,1MHz |
安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | SOD-123 |
供应商器件封装 | SOD-123 | 工作温度 - 结 | -65°C ~ 125°C |
B5819W-TP是一款高性能的肖特基二极管,专为低压降和快速切换应用而设计。其主要规格包括直流反向耐压(Vr)为20V,最大可承受40V的反向电压,可以承受高达1A的平均整流电流。这种特性使得B5819W-TP在多种电子电路中成为理想的选择,尤其是涉及高频和高效能的电源管理和整流应用。
B5819W-TP采用SOD-123封装,这种表面贴装型设计不仅减小了器件的占用面积,还使得其在自动化生产中的集成变得更加简单。同时,其封装设计也有效地提升了热性能,降低了在工作过程中的热失效风险,确保了其在-65°C至125°C的广泛温度范围内稳定工作。
该二极管在1A的工作条件下,其正向压降(Vf)为600mV,这对于减少功耗至关重要,提高了整体电路的効率。特别是在需要频繁开关的应用中,低压降能够显著降低热量产生,提高产品的可靠性。
反向泄漏电流是影响二极管性能的重要参数,B5819W-TP在40V时的反向泄漏电流仅为1 mA,这意味着该器件在不工作状态下对电路的影响非常小,能够有效降低待机功耗,提高整个系统的能效。
B5819W-TP设计具有快速恢复特性,具有小于等于500ns的恢复时间。这使其非常适合用于数据传输、开关电源以及高频调制等快速开关应用,可以显著提升电路的响应速度与整体性能。
由于其良好的电气特性和高的工作温度范围,B5819W-TP被广泛应用于以下领域:
MCC(美微科)作为B5819W-TP的制造商,致力于提供高质量的组件和可靠的产品性能。公司遵循严格的质量保证流程,从原材料的选取到生产的每个环节,保证产品符合国际标准,从而为客户提供令人满意的使用体验。
B5819W-TP凭借其优越的工作特性与广泛的应用范围,成为现代电子产品设计中不可或缺的一部分。随着电子产品向便携、高效能方向发展的趋势,该器件将继续发挥重要作用,帮助设计工程师实现更高效、可靠的电路设计。无论是在工业应用还是消费电子领域,B5819W-TP都展现了其卓越的性能和市场价值,是一款值得投资的核心元件。