DMP6023LFG-13
品牌 :
DIODES(美台)
封装 :
PowerDI3333-8
包装 :
编带
重量 :
-
描述 :
场效应管(MOSFET) 1W 60V 7.7A 1个P沟道 PowerDI-3333-8
库存 :
2506(起订量1,增量1)
批次 :
22+数量 :
X
2.34按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
￥0梯度
内地(含税)
香港
1+
￥2.34
--
100+
￥1.86
--
750+
￥1.67
--
1500+
￥1.57
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30000+
产品参数
产品手册
产品概述
DMP6023LFG-13参数
| 封装/外壳 | 8-PowerWDFN | FET类型 | P沟道 |
| 漏源极电压（Vdss） | 60V | 安装类型 | 表面贴装(SMT) |
| FET 类型 | P 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 60V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 7.7A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 25 毫欧 @ 5A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 53.1nC @ 10V |
| Vgs（最大值） | ±20V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 2569pF @ 30V |
| 功率耗散（最大值） | 1W（Ta） | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 供应商器件封装 | PowerDI3333-8 |
DMP6023LFG-13手册
DMP6023LFG-13概述
产品概述：DMP6023LFG-13
DMP6023LFG-13 是一款高性能的 P 型场效应管 (MOSFET)，专为高电压和高电流应用而设计，具有出色的电气特性和工作可靠性。此器件采用 PowerDI-3333-8 封装，适合表面贴装 (SMT) 安装，特别适合现代电子设备的紧凑型设计需求。
主要参数
- FET 类型: P 通道 MOSFET
- 漏源极电压 (Vdss): 60V
- 连续漏极电流 (Id): 7.7A（在 25°C 的环境温度下）
- 导通电阻 (Rds On): 最大 25 毫欧，在 10V 的驱动电压和 5A 的漏极电流下
- 栅极电荷 (Qg): 最大 53.1nC，适应于 10V 的栅电压
- 最大功率耗散: 1W
- 工作温度: -55°C 到 150°C，确保在极端环境下的稳定工作
- Vgs（最大值）: ±20V，提升了对栅极驱动电压的灵活性
- 栅极阈值电压 (Vgs(th)): 最大 3V @ 250μA，适合低栅驱动电压场合
- 输入电容 (Ciss): 最大 2569pF @ 30V，提高了开关速度
应用场景
DMP6023LFG-13 适用于多种应用场合，包括但不限于：
- 电源管理: 由于其能够承受高电压和电流的能力，此 MOSFET 非常适用于 Buck 转换器、Boost 转换器以及其他电源管理电路。
- 马达驱动: 在电机驱动和控制系统中，可作为开关元件，提供高效的电流控制与管理。
- 电池供电设备: 结合其低导通电阻与优良的电流承载能力，使其非常适合用于移动设备和电池管理系统。
- LED 驱动: 在 LED 照明和显示应用中，能够准确控制电流，以实现稳定的亮度输出。
性能特点
DMP6023LFG-13 具有优秀的电气性能，不仅在低导通电阻方面表现突出，减少了功耗和热失效风险，还在高频率应用中显示出极佳的开关特性。其栅极电荷低，使得驱动电路设计更加简化，特别适合高效能、高密度的电子电路设计。
封装优势
此器件采用的 PowerDI-3333-8 封装设计，帮助实现更好的散热效果，并且具有较小的占地面积，使其能够在紧凑的 PCB 布局中轻松集成。该封装还提高了器件的耐久性和稳定性，确保在各种工况下都能保持良好的性能。
结论
总之，DMP6023LFG-13 是一种高性价比的 P 型 MOSFET，结合了卓越的电气性能和多种应用灵活性。无论是用于电源管理、电机驱动还是 LED 照明系统，该器件都能提供高效、可靠的解决方案。选用 DMP6023LFG-13，将为您的设计增添强大的动力和效率，助力实现更先进的电子产品。