DMP4015SK3Q-13 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格数据手册

DMP4015SK3Q-13

商品编码: BM0000280461
品牌 : 
DIODES(美台)
封装 : 
TO252
包装 : 
编带
重量 : 
0.372g
描述 : 
场效应管(MOSFET) 3.5W 40V 14A;35A 1个P沟道 TO-252
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
22+
数量 :
X
2.68
按整 :
圆盘(1圆盘有2500个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥2.68
--
100+
¥2.06
--
1250+
¥1.8
--
2500+
¥1.7
--
25000+
产品参数
产品手册
产品概述

DMP4015SK3Q-13参数

安装类型表面贴装型不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)11 毫欧 @ 9.8A,10V
技术MOSFET(金属氧化物)驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)4.5V,10V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)14A(Ta),35A(Tc)FET 类型P 通道
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)4234pF @ 20VVgs(最大值)±25V
工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)47.5nC @ 5V
漏源电压(Vdss)40V功率耗散(最大值)3.5W(Ta)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)2.5V @ 250µA

DMP4015SK3Q-13手册

DMP4015SK3Q-13概述

DMP4015SK3Q-13 产品概述

产品名称: DMP4015SK3Q-13
品牌: DIODES(美台)
封装类型: TO-252
产品类型: P沟道 MOSFET(场效应管)

1. 基本参数

DMP4015SK3Q-13 是一款高性能的 P沟道 MOSFET,适用于各种电子设备中,用于高效的功率开关和信号调节。该器件具有以下关键参数:

  • 导通电阻(Rds On): 最大值为 11 毫欧,在 9.8A、10V 的条件下测量,表明其在高电流下具有极低的导通损耗。
  • 连续漏极电流 (Id): 在 25°C 环境温度下,最大连续漏极电流为 14A,若在更优的散热条件下(Tc),则可达到 35A,适合不同应用中的宽范围电流需求。
  • 漏源电压 (Vdss): 该器件可以承受最高 40V 的漏源电压,适合中高电压应用。
  • 门源电压 (Vgs): 最大门源电压为 ±25V,允许灵活的驱动电压配置。

2. 技术特性

DMP4015SK3Q-13 特别适用于需要高效开关能力的场合。其输入电容(Ciss)最大值为 4234 pF @ 20V,允许快速开关操作。为了确保高效的开关性能,该部分电路设计需要考虑到栅极电荷(Qg),该器件在5V下的最大栅极电荷为 47.5nC。

  • 工作温度范围: 该 MOSFET 的工作温度范围从 -55°C 到 150°C,较宽的温度跨度使其非常适合于各种极端环境下的应用。

3. 应用领域

DMP4015SK3Q-13 的广泛应用领域包括但不限于:

  • 电源管理: 作为开关元件,DMP4015SK3Q-13 可以在电源转换及电池管理电路中有效控制功率流,降低能量损耗。
  • 电机驱动: 其高连续电流能力使其可用于电机控制电路,在驱动电机时能够实现高效能和低热量输出。
  • 照明控制: 在 LED 照明应用中,可以利用其快速开关能力,实现高效的调光控制。
  • 消费电子产品: 在笔记本电脑、平板电脑和智能手机等小型设备中,轻便的 TO-252 封装能够节省空间并提高整体设计的紧凑性。

4. 性能优势

DMP4015SK3Q-13 在电源应用中具有极佳的可靠性和效率。例如,通过其低导通电阻设计,大幅度降低了导通损耗,提高了整体系统的能效。此外,良好的散热性能与宽工作温度范围确保了该器件在不同应用环境下的稳定性。

5. 设计注意事项

在使用 DMP4015SK3Q-13 进行设计时,建议用户关注以下几个方面:

  • 散热设计: 高负载条件下,确保器件有充分的散热措施,以避免设备过热而失效。
  • 驱动电压选择: 根据实际应用选择适合的 Vgs,以确保器件能够在最佳条件下工作。
  • 开关频率: 尽量根据器件的电容和栅极电荷特性选择合适的开关频率,以确保电路的整体性能不受影响。

结论

DMP4015SK3Q-13 是一款性能卓越的 P沟道 MOSFET,凭借其低导通电阻、优异的电流承载能力及宽工作温度范围,在电源管理和电机驱动等多个领域表现出色。基于其可靠的性能和灵活的应用特性,DMP4015SK3Q-13 是设计工程师在开发高效率电子产品时的理想选择。