安装类型 | 表面贴装型 | 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 11 毫欧 @ 9.8A,10V |
技术 | MOSFET(金属氧化物) | 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 4.5V,10V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 14A(Ta),35A(Tc) | FET 类型 | P 通道 |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 4234pF @ 20V | Vgs(最大值) | ±25V |
工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 47.5nC @ 5V |
漏源电压(Vdss) | 40V | 功率耗散(最大值) | 3.5W(Ta) |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 2.5V @ 250µA |
产品名称: DMP4015SK3Q-13
品牌: DIODES(美台)
封装类型: TO-252
产品类型: P沟道 MOSFET(场效应管)
DMP4015SK3Q-13 是一款高性能的 P沟道 MOSFET,适用于各种电子设备中,用于高效的功率开关和信号调节。该器件具有以下关键参数:
DMP4015SK3Q-13 特别适用于需要高效开关能力的场合。其输入电容(Ciss)最大值为 4234 pF @ 20V,允许快速开关操作。为了确保高效的开关性能,该部分电路设计需要考虑到栅极电荷(Qg),该器件在5V下的最大栅极电荷为 47.5nC。
DMP4015SK3Q-13 的广泛应用领域包括但不限于:
DMP4015SK3Q-13 在电源应用中具有极佳的可靠性和效率。例如,通过其低导通电阻设计,大幅度降低了导通损耗,提高了整体系统的能效。此外,良好的散热性能与宽工作温度范围确保了该器件在不同应用环境下的稳定性。
在使用 DMP4015SK3Q-13 进行设计时,建议用户关注以下几个方面:
DMP4015SK3Q-13 是一款性能卓越的 P沟道 MOSFET,凭借其低导通电阻、优异的电流承载能力及宽工作温度范围,在电源管理和电机驱动等多个领域表现出色。基于其可靠的性能和灵活的应用特性,DMP4015SK3Q-13 是设计工程师在开发高效率电子产品时的理想选择。