DMP3085LSS-13
DMP3085LSS-13参数
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm宽） | FET类型 | P沟道 |
| 漏源极电压（Vdss） | 30V | 栅源电压 Vgss | ±20V |
| 安装类型 | 表面贴装(SMT) | FET 类型 | P 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） | 漏源电压（Vdss） | 30V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 3.8A（Ta） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 70 毫欧 @ 5.3A，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 5.2nC @ 4.5V | Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 563pF @ 25V | 功率耗散（最大值） | 1.3W（Ta） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | 供应商器件封装 | 8-SO |
DMP3085LSS-13手册
DMP3085LSS-13概述
DMP3085LSS-13 是一款高性能 P 通道金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET），由美台（DIODES）公司制造。它主要用于需要高效功率控制和开关的电子电路中。本产品具有独特的设计，适用于各种应用，包括电源管理、负载开关、以及电子设备中的PWM（脉宽调制）调控。
产品规格
DMP3085LSS-13 的基本技术参数凸显了其卓越的性能特点，以确保适应多种工作环境。以下是该产品的详细规格说明：
封装/外壳: DMP3085LSS-13 采用了 8-SOIC（0.154"、3.90mm 宽）表面贴装封装，紧凑的设计有助于节省电路板空间，同时简化生产过程和提高装配效率。
FET 类型: 该器件是 P 通道 MOSFET，适合在高侧开关配置中使用，能够有效管理和控制电流的流向。
漏源极电压（Vdss）: 其介电击穿电压为 30V，确保在较高电压条件下的稳定运行。
栅源电压（Vgss）: 最大栅源电压为 ±20V，覆盖了常见的栅极驱动需求。
电流规格: 在 25°C 的环境温度下，DMP3085LSS-13 的连续漏极电流（Id）达到 3.8A，使其在负载较高的情况下仍能保持卓越性能。
导通电阻（Rds(on)）: 在 10V 的栅极驱动电压下，电流为 5.3A 时，最大导通电阻为 70 毫欧，低电阻值意味着设备发热量低，提升能源效率。
阈值电压（Vgs(th)）: 不同 Id 条件下，Vgs(th) 的最大值为 3V@250µA，表明该 MOSFET 对于驱动信号的响应比较灵敏，能够在低电压条件下迅速开启。
栅极电荷 (Qg): 在 4.5V 的栅驱动电压下，栅极电荷为 5.2nC，表示驱动电路所需的功耗较小，适合高频开关应用。
输入电容 (Ciss): 不同 Vds 下，工作在 25V 时输入电容为 563pF，良好的输入特性使其适合快速开关应用。
功率耗散: 最大功率耗散为 1.3W（Ta），确保在不同工作环境中的安全性。
工作温度范围: 从 -55°C 到 150°C 的宽广工作温度范围使 DMP3085LSS-13 可在极端环境中稳定工作，满足严苛应用的需求。
应用领域
DMP3085LSS-13 由于其优异的电气特性和可靠的封装设计，适用于多种应用场景。这些应用包括但不限于：
电源管理: 在DC-DC转换器和开关电源中，实现高效能的电源供应和能量转换。
负载开关: 能够用作开关元件，控制设备负载的启停，保护电路及负载部件。
信号调理: 通过控制信号的开通与断开，实现各种信号的调理和放大。
功率放大: 可用于音频放大器中，传输和控制音频信号的动态变化。
结论
总的来说，DMP3085LSS-13 MOSFET 结合了较高的电流通量、低导通电阻，并具备良好的温度稳定性与可靠性，是设计者在现代电子产品中实现高效能和高可靠性的理想选择。无论是在消费电子、工业控制还是汽车电子等领域，该产品都能够提供卓越的性能表现，满足日益增长的电源管理和控制需求。