DMP3015LSS-13
品牌 :
DIODES(美台)
封装 :
SO-8
包装 :
编带
重量 :
0.106g
描述 :
场效应管(MOSFET) 2.5W 30V 13A 1个P沟道 SO-8
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
5年内数量 :
X
2.29按整 :
圆盘(1圆盘有2500个)
合计 :
￥0梯度
内地(含税)
香港
1+
￥2.29
--
100+
￥1.76
--
1250+
￥1.54
--
2500+
￥1.45
--
37500+
产品参数
产品手册
产品概述
DMP3015LSS-13参数
| FET 类型 | P 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 30V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 13A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 11 毫欧 @ 13A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2V @ 250µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 60.4nC @ 10V |
| Vgs（最大值） | ±20V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 2748pF @ 20V |
| 功率耗散（最大值） | 2.5W（Ta） | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | 8-SOP |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
DMP3015LSS-13手册
DMP3015LSS-13概述
DMP3015LSS-13 产品概述
一、基本信息
DMP3015LSS-13是一款高效的P沟道MOSFET（场效应管），由知名电子元器件制造商DIODES（美台）出品，适用于各种需要高电流和低导通电阻的应用场景。该器件具有优秀的电气特性和可靠性，尤其适合于用于电源管理、DC-DC转换、开关电源和马达驱动等领域。
二、关键参数
- FET类型: P通道MOSFET
- 漏源电压（Vdss）: 30V
- 最大连续漏极电流（Id）: 13A（在25°C下）
- 最佳驱动电压: 4.5V和10V
- 最大导通电阻（Rds On）: 11毫欧 @ 10V和13A时
- 栅源阈值电压（Vgs(th)）: 最大2V @ 250µA，适合低压驱动
- 栅极电荷: 60.4nC @ 10V，较低的栅极电荷有助于提高开关速度
- 最大栅源电压（Vgs）: ±20V，提供更大的设计灵活性
- 输入电容（Ciss）: 最大2748pF @ 20V，适合高频应用
- 功率耗散: 最大2.5W（在25°C下）
- 工作温度范围: -55°C ~ 150°C，适合于各种严苛环境
- 安装类型: 表面贴装型（SMD）
- 封装: 8-SOIC，尺寸为0.154"（3.90mm宽），适合紧凑空间布局
三、高性能特点
低导通电阻: DMP3015LSS-13具有最大11毫欧的导通电阻，确保在高电流条件下，器件能以最低的热损耗工作，提升整体效率。
宽电压范围: 该器件具有30V的漏源电压，适合多种应用，包括汽车以及一般消费电子设备。
快速开关性能: 由于具有较低的栅极电荷和输入电容，DMP3015LSS-13能够实现较快的开关速度，这对于提升系统的整体性能和响应速度至关重要。
高温范围操作: 其工作温度范围覆盖-55°C至150°C，使其能够在极端环境下稳定工作，适合航空航天、军事及工业应用。
节省空间的封装设计: SO-8封装的设计使得该MOSFET能够在空间受限的电路板上使用，适应现代电子产品对紧凑设计的需求。
四、应用领域
DMP3015LSS-13因其卓越的性能和广泛的适用性，成为多个领域的优选元件。主要应用包括：
- 电源开关: 用于直流-直流转换器、开关电源等电源管理系统。
- 马达驱动: 为电动机控制提供强大的开关能力，尤其是在汽车和工业自动化中。
- 充电器和电池管理: 在电池充电方案中有效控制功率流动，保护电池安全。
- LED驱动: 提高LED应用的效率，实现高亮度输出。
五、总结
DMP3015LSS-13以其卓越的电气特性、出色的性能与可靠性，成为一款理想的P沟道MOSFET选择。无论是在电源管理、马达驱动还是更多其他应用中，它都提供了无与伦比的解决方案。随着各行业对能效要求的不断提高，DMP3015LSS-13将继续为新一代电子产品的设计与优化提供强大的动力。其出色的性能与种类丰富的应用场景，使得DMP3015LSS-13成为电子工程师在选择MOSFET时的首选之一。