DMP2035U-7
品牌 :
DIODES(美台)
封装 :
SOT23
包装 :
编带
重量 :
0.028g
描述 :
场效应管(MOSFET) 810mW 20V 3.6A 1个P沟道 SOT-23
库存 :
4587(起订量1,增量1)
批次 :
2年内数量 :
X
0.341按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
￥0梯度
内地(含税)
香港
1+
￥0.341
--
200+
￥0.22
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1500+
￥0.192
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3000+
￥0.17
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30000+
产品参数
产品手册
产品概述
DMP2035U-7参数
| 漏源电压（Vdss） | 20V | 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 3.6A |
| 栅源极阈值电压 | 1V @ 250uA | 漏源导通电阻 | 35mΩ @ 4A,4.5V |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 810mW | 类型 | P沟道 |
| FET 类型 | P 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 3.6A（Ta） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 1.8V，4.5V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 35 毫欧 @ 4A，4.5V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 1V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 15.4nC @ 4.5V | Vgs（最大值） | ±8V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 1610pF @ 10V | 功率耗散（最大值） | 810mW（Ta） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | SOT-23-3 | 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
DMP2035U-7手册
DMP2035U-7概述
产品概述：DMP2035U-7 P沟道MOSFET
一、产品简介
DMP2035U-7是一款高性能的P沟道MOSFET，专为电源管理及模拟信号开关应用而设计。该器件具有20V的漏源电压（Vdss）和3.6A的连续漏极电流（Id），能够高效驱动负载，适用于各种电子设备的电源开关和负载开关场合。其小巧的SOT-23封装（TO-236-3 / SC-59）使得其在板级空间受限的应用中非常理想。
二、主要规格
- 漏源电压（Vdss）: 20V
- 连续漏极电流（Id）: 3.6A（在25°C环境温度下）
- 栅源极阈值电压（Vgs(th)）: 1V @ 250μA
- 漏源导通电阻（Rds(on)）: 35mΩ @ 4A, 4.5V
- 最大功率耗散: 810mW（Ta=25°C）
- 工作温度范围: -55°C 至 150°C
- 栅极电压范围: ±8V
- 输入电容（Ciss）: 1610pF @ 10V
- 栅极电荷（Qg）: 15.4nC @ 4.5V
- 封装类型: SOT-23
三、应用领域
DMP2035U-7广泛应用于消费电子、便携式设备、汽车电子及工业控制等领域。以下是一些具体应用场景：
- 电源开关：在电源管理电路中，该器件可以实现对电源的快速切换，有效降低待机功耗。
- 负载开关：适用于对负载感性大或容性大的设备。其低导通电阻（35mΩ）确保了良好的电流导通特性，降低了功率损耗。
- 模拟开关：可用于高频信号的开关，保证信号的完整性。
- LED驱动电路：可驱动高亮度LED，实现灯光控制，适应多种照明场景。
四、技术特点
- 低导通损耗：35mΩ的低导通电阻为器件在开关状态下提供了较低的功率损耗，提升了电路的整体效率。
- 宽工作温度范围：工作温度范围为-55°C至150°C，使得该元件能够在多种极端环境下可靠工作。
- 高电流承载能力：3.6A的连续漏极电流能力为许多中小功率应用提供了灵活性。
五、驱动特性
DMP2035U-7的栅极驱动电压要求较低，1.8V ~ 4.5V之间即可有效控制ON/OFF状态，适合与低电压控制器，微控制器（MCU）等设备配合使用。同时，最大8V的栅极电压稳定性确保了元件在电压波动条件下的可靠性。
六、封装及安装
该器件采用SOT-23封装，使其拥有较小的空间占用，适合表面贴装技术（SMT）。在高密度PCB设计中，DMP2035U-7的尺寸优势可以大大简化元器件布局。
七、总结
总的来说，DMP2035U-7是一款多功能、高效能的P沟道MOSFET，凭借其卓越的电气特性和宽泛的应用领域，成为设计师和工程师进行电源管理与开关控制时的理想选择。无论是消费电子还是工业应用，DMP2035U-7都能在满足严格电气要求的同时，提供出色的性能和效率。选择DMP2035U-7，助力电路设计的新思路与挑战。