安装类型 | 表面贴装型 | 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 240 毫欧 @ 5A,10V |
技术 | MOSFET(金属氧化物) | 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 4.5V,10V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 9A(Tc) | FET 类型 | P 通道 |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 1239pF @ 25V | Vgs(最大值) | ±20V |
工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 17.5nC @ 10V |
漏源电压(Vdss) | 100V | 功率耗散(最大值) | 42W(Tc) |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 3V @ 250µA |
产品名称: DMP10H400SK3-13
类型: P沟道MOSFET
封装: TO-252(表面贴装型)
品牌: DIODES (美台)
DMP10H400SK3-13是一款高性能的P沟道金属氧化物半导体场效应管(MOSFET),设计用于高效功率控制和开关应用。该产品能够在宽温工作范围内提供卓越的导通性能和高可靠性,适合多种电源管理和负载驱动的电路。
导通电阻:
工作电流 (Id):
漏源电压(Vdss):
栅极驱动电压:
功率耗散:
工作温度范围:
输入电容 (Ciss):
栅极电荷 (Qg):
阈值电压 (Vgs(th)):
DMP10H400SK3-13适用于自动化、工业电气、消费电子等多个领域,包括但不限于:
DMP10H400SK3-13作为一款高效的P沟道MOSFET,具备了许多突出的电气参数和机械性能,能够胜任各种高功率电源管理和负载驱动的应用。其优异的导通电阻、广泛的工作温度范围以及出色的功率耗散能力,使得该元器件特别适合在要求高效率和高可靠性的电气装置中使用。
通过选择DMP10H400SK3-13,工程师和设计师可以为他们的电气设计提供一种可靠且高效的解决方案,满足现代电子设备对功率和性能的高要求。