DMN62D1LFD-7
DMN62D1LFD-7参数
| 漏源电压（Vdss） | 60V | 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 400mA |
| 栅源极阈值电压 | 1V @ 250uA | 漏源导通电阻 | 2Ω @ 100mA,4V |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 500mW | 类型 | N沟道 |
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 400mA（Ta） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 1.8V，4V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 2 欧姆 @ 100mA，4V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 1V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | .55nC @ 4.5V | Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 36pF @ 25V | 功率耗散（最大值） | 500mW（Ta） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | X1-DFN1212-3 | 封装/外壳 | 3-UDFN |
DMN62D1LFD-7手册
DMN62D1LFD-7概述
DMN62D1LFD-7 产品概述
产品简介
DMN62D1LFD-7是一款高性能的N沟道金属氧化物半导体场效应管（MOSFET），由著名电子元器件供应商DIODES（美台）制造。该MOSFET设计用于广泛的开关和放大应用，其优越的电气特性使其成为现代电子电路中不可或缺的元件。封装类型为X1-DFN1212-3的表面贴装结构，保证了其在空间受限的应用中的适用性。
关键参数
漏源电压 (Vdss): 该MOSFET的最大漏源电压为60V，这使其能够在高电压环境中稳定工作，适合用于电源开关、LED驱动和电机控制等应用。
连续漏极电流 (Id): 在25°C环境温度下，该产品的连续漏极电流可达到400mA，表现出强大的电流承载能力。
栅源极阈值电压 (Vgs(th)): 产品的栅源阈值电压为1V @ 250µA，显著降低了驱动电压要求，使其轻松适应多种控制电路。
漏源导通电阻 (Rds(on)): 在4V下，导通电阻为2Ω @ 100mA，说明在正常工作条件下的功率损耗较低，进一步提升了电路的效率。
最大功率耗散: 该器件支持高达500mW的功率耗散（在Ta=25°C时），适用于高温工作环境。
温度范围: DMN62D1LFD-7具有广泛的工作温度范围，从-55°C到150°C（TJ），使其适合于严酷的工业和汽车应用。
安装类型及封装: 采用表面贴装型（SMT）设计，封装尺寸为3-UDFN，轻便且节省PCB空间，适合高密度布板设计。
应用领域
DMN62D1LFD-7的特性使其在多种应用中表现卓越，包括：
- 电源管理: 作为开关元件，用于电源转换和稳压电路。
- 照明控制: 用于LED驱动器中，提供高效的电源转换。
- 电机驱动: 在电机控制电路中用作信号开关，完美应对快速开关需求。
- 自动化设备: 可应用于生产线上的智能设备和传感器模块，以提高系统的响应速度和效率。
性能优势
DMN62D1LFD-7相较于传统的晶体管或其他MOSFET器件具有明显的性能优势：
低功耗: 低Rds(on)和高阈值电压，意味着其在开启状态时热量产生减少，从而提高系统的整体效率。
快速切换: 较低的栅极电荷（Qg = 0.55nC @ 4.5V）使得MOSFET能够实现快速切换，适合高频应用。
高温适应性: 能够在极限工作温度下稳定工作，使其在恶劣环境中表现优越。
便于集成: 小巧的封装与表面贴装类型设计使得DMN62D1LFD-7易于在现代微型电路中集成。
结论
总的来说，DMN62D1LFD-7是一款出色的N沟道MOSFET器件，凭借优异的电气特性、宽广的应用范围和卓越的可靠性，成为新一代电子产品设计的理想选择。无论是在消费电子、工业设备还是汽车电子中，该MOSFET都能为设计师提供出色的性能和灵活性。随着技术的不断进步，DMN62D1LFD-7必将在创新的电子应用中持续发挥重要作用。