漏源电压(Vdss) | 30V | 连续漏极电流(Id)(25°C 时) | 4.2A |
栅源极阈值电压 | 2.1V @ 250uA | 漏源导通电阻 | 40mΩ @ 4.2A,10V |
最大功率耗散(Ta=25°C) | 780mW | 类型 | N沟道 |
FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET(金属氧化物) |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 4.2A(Ta) | 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 4.5V,10V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 40 毫欧 @ 4.2A,10V | 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 2.1V @ 250µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 13.2nC @ 10V | Vgs(最大值) | ±20V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 697pF @ 15V | 功率耗散(最大值) | 780mW(Ta) |
工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) | 安装类型 | 表面贴装型 |
供应商器件封装 | SC-59 | 封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
产品名称: DMN3070SSN-7
类型: N-channel MOSFET
封装类型: SC-59
品牌: DIODES (美台)
DMN3070SSN-7 是一款高性能的 N-channel MOSFET,旨在满足高效功率管理和开关应用的需求。凭借其卓越的电气性能和紧凑的封装设计(SC-59),它非常适合用于消费电子、通信设备和工业控制等多个领域。
DMN3070SSN-7 提供出色的电气性能,适用于需要高效率和低损耗的应用。其低导通电阻(Rds On)特性使其能够在较高电流下运行,而不产生过多的热量,从而加强了其在功率调节和开关电源中的表现。此外,其较大的漏源电压(Vdss)和连续漏极电流(Id)使该器件能够承受较高的负载,提高了设备的耐用性和稳定性。
DMN3070SSN-7 适用于各种电子产品,主要应用包括但不限于:
该器件采用表面贴装型封装(SC-59),在小尺寸的同时确保良好的热性能,能够有效散热。其工作温度范围从 -55°C 到 150°C,适应各种严苛环境下的工作要求,确保在不同应用场合中的稳定运行。
DMN3070SSN-7 N-channel MOSFET是一款具有多种优异性能的半导体元器件,适合广泛的应用。如需更多详细信息,建议用户查阅产品数据手册,以便于在具体应用中实现最优性能。凭借DERIODES的可靠性和技术支持,该元件可以帮助设计师实现更高效的电路设计和更好的系统性能。无论是工业应用还是消费类电子,DMN3070SSN-7都将是一个可靠的选择。