DMN2300UFL4-7
品牌 :
DIODES(美台)
封装 :
X2-DFN1310-6
包装 :
编带
重量 :
-
描述 :
场效应管(MOSFET) 1.39W 20V 2.11A 2个N沟道 X2-DFN1310-6
库存 :
3000(起订量1,增量1)
批次 :
22+数量 :
X
0.598按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
￥0梯度
内地(含税)
香港
1+
￥0.598
--
200+
￥0.412
--
1500+
￥0.374
--
3000+
￥0.35
--
30000+
产品参数
产品手册
产品概述
DMN2300UFL4-7参数
| 安装类型 | 表面贴装型 | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 195 毫欧 @ 300mA，4.5V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 2.11A（Ta） | FET 类型 | 2 N-通道（双） |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 128.6pF @ 25V | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 3.2nC @ 4.5V | 漏源电压（Vdss） | 20V |
| FET 功能 | 标准 | 功率 - 最大值 | 1.39W |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 950mV @ 250µA |
DMN2300UFL4-7手册
DMN2300UFL4-7概述
产品概述：DMN2300UFL4-7
概述
DMN2300UFL4-7 是一款高性能的 N 通道场效应管（MOSFET），由美台半导体（Diodes）制造，专为低功耗、高效率的开关应用设计。这款 MOSFET 采用 X2-DFN1310-6 封装，具有出色的电气性能和热特性，适合在各种电子电路中提供可靠的开关控制。
主要规格
- 安装类型: 表面贴装型
- 最大漏电流 (Id): 2.11A（Ta）
- 最大漏源电压 (Vdss): 20V
- 栅源电压开启阈值 (Vgs(th)): 最高 950mV @ 250µA
- 导通电阻（Rds(on)）: 最高 195 毫欧 @ 300mA，4.5V，25°C
- 最大功率: 1.39W
- 工作温度: -55°C 到 150°C（TJ）
- 输入电容 (Ciss): 最高 128.6pF @ 25V
- 栅极电荷 (Qg): 最高 3.2nC @ 4.5V
产品特点
高效率: DMN2300UFL4-7 的导通电阻较低，使其在开关控制过程中的能量损耗显著减少，从而提高了电源管理系统的整体效率。
宽工作温度范围: 该器件的工作温度范围从 -55°C 到 150°C，为其在极端环境中的应用提供了极大的灵活性，可以广泛应用于工业和汽车领域。
小型封装: X2-DFN1310-6 封装设计使得 DMN2300UFL4-7 在占用空间上具有显著优势，特别适合用于空间受限的电子产品。
快速开关速度: 由于其较低的输入电容和栅极电荷，该 MOSFET 能够实现快速的开关响应，适合高频和开关电源（SMPS）应用。
增强的安全性: 具有较高的漏极电流（Id）和漏源电压（Vdss）额定值，使得该 MOSFET 能够在复杂和严苛的电气环境中安全稳定运行。
应用场景
- 电源管理: 适用于开关电源、DCDC 转换器等电源管理设备，有助于提升效率并降低功耗。
- 电动汽车: 在电动汽车的电机控制、充电模块以及电池管理系统中，可以有效降低功耗和提高响应速度。
- 工业控制: 在各种工业控制和自动化设备中，DMN2300UFL4-7 可以作为开关元件或驱动器，提升设备的性能和可靠性。
- 消费电子: 适合用于智能手机、平板电脑、便携式设备等消费电子产品，提高电源管理效率和延长电池寿命。
总结
DMN2300UFL4-7 以其优越的电气性能和灵活的工作特性，广泛适用于多个领域的电源管理和开关控制应用。其高效能和小型化设计，为现代电子产品提供了理想的解决方案，是电子工程师在设计高性能电源系统时的卓越选择。