DMN1019USN-7
DMN1019USN-7参数
| 漏源电压（Vdss） | 12V | 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 9.3A |
| 栅源极阈值电压 | 800mV @ 250uA | 漏源导通电阻 | 10mΩ @ 9.7A,4V |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 680mW | 类型 | N沟道 |
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 9.3A（Ta） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 1.2V，2.5V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 10 毫欧 @ 9.7A，4.5V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 800mV @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 50.6nC @ 8V | Vgs（最大值） | ±8V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 2426pF @ 10V | 功率耗散（最大值） | 680mW（Ta） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | SC-59 | 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
DMN1019USN-7手册
DMN1019USN-7概述
产品概述：DMN1019USN-7 N沟道MOSFET
DMN1019USN-7是一款高性能的N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET），专为各种低电压应用而设计，具备出色的导通性能和可靠性。该器件的主要参数包括漏源电压（Vdss）为12V、连续漏极电流（Id）达9.3A（在25°C条件下），功率耗散能力高达680mW，使其能够在各种设计需求中表现卓越。
主要特性
高电流承载能力：DMN1019USN-7在25°C下能够承载最大连续漏极电流为9.3A，这使其能够满足高功率负载的需求，非常适合用于电源管理、开关电源及其他功率转换电路。
低导通电阻：该器件的导通电阻在4.5V、9.7A下仅为10毫欧，此特点确保MOSFET在操作时能够显著减少功率损耗，提高效率，是电源系统中不可或缺的组件。
宽工作温度范围：DMN1019USN-7设计时考虑了-55°C到150°C的宽广工作温度范围，适合在极端温度条件下使用，保障了其在各种环境中的可靠性。
高级阈值电压控制：其栅源极阈值电压为800mV @ 250µA，且在不同的漏极电流（Id）和栅源电压（Vgs）条件下，保持优良的一致性与可控性，方便设计人员依据需求进行调整。
低栅极电荷：该器件的栅极充电电荷（Qg）最大值为50.6nC @ 8V，这意味着在高频操作中能够快速响应，适合于高效开关应用，同时减少驱动电路的负担。
封装与安装方式：DMN1019USN-7采用小型化的SC-59封装，适合表面贴装技术（SMT），节省空间的同时具有良好的散热性能，能够有效提升产品的整体性能。
应用场景
DMN1019USN-7广泛应用于多个领域，包括但不限于：
开关电源：由于其高电流承载能力和低导通电阻，适合用于DC-DC转换器、线性稳压器及开关电源等。
电机驱动：在电机驱动电路中，能够提供高效的开关控制，降低能量损耗，同时提升系统的响应速度。
消费电子：在手机、平板、电脑等消费电子产品中，可用于功率管理、快速充电等应用，满足日益增长的能效要求。
LED驱动：在LED照明领域，用于控制流经LED的电流，确保色温的一致性与亮度的稳定性。
性能优势
高效能：凭借其低Rds(on)和高电流能力，DMN1019USN-7提供优于同类产品的能效，使系统设计更为高效与可靠。
紧凑设计：小尺寸封装的优势为电子产品的紧凑设计提供了可能，同时使得电路板空间利用率提高。
优良稳定性：宽工作温度范围与低热阻特性，使其在极端环境下仍能稳定工作，大大降低了故障率。
结论
DMN1019USN-7是一款非常出色的N沟道MOSFET，具有优良的电气性能和可靠性。无论是在电源管理、消费电子，还是工业控制和LED驱动等领域，它均能发挥重要作用。其高效能和突破性的设计使得DMN1019USN-7成为现代电子设备中不可或缺的核心组件之一。对于设计工程师来说，选择DMN1019USN-7将有助于提升产品的性能与市场竞争力。