安装类型 | 表面贴装型 | 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 30 毫欧 @ 7A,10V |
技术 | MOSFET(金属氧化物) | 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 4.5V,10V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 6A(Ta) | FET 类型 | N 通道 |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 498pF @ 15V | Vgs(最大值) | ±20V |
工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 11.4nC @ 10V |
漏源电压(Vdss) | 30V | 功率耗散(最大值) | 1.75W(Ta) |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 2V @ 250µA |
DMG6402LVT-7 是一款高性能的 N 通道 MOSFET,属于表面贴装型(SMD)器件,专为各种电源开关和转换应用设计。其最大漏源电压为 30V,额定电流为 6A,具有优异的导通电阻和快速开关特性,适合用于高频率和高效率的电源管理系统。
DMG6402LVT-7 的设计使其适用于多种电子电路:
DMG6402LVT-7 以其优异的规格、稳定的性能以及广泛的应用场景,成为电子工程师在设计电源及功率控制电路时的理想选择。该产品不仅能满足电源开关和转换的高效率需求,同时也保证了产品在高温和不同电压条件下的可靠性,是推进现代电子技术发展的重要元件之一。