DMG6402LVT-7 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格数据手册

DMG6402LVT-7

商品编码: BM0000280439
品牌 : 
DIODES(美台)
封装 : 
TSOT26
包装 : 
编带
重量 : 
0.061g
描述 : 
场效应管(MOSFET) 1.75W 30V 6A 1个N沟道 TSOT-23-6
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
22+
数量 :
X
0.664
按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥0.664
--
200+
¥0.428
--
1500+
¥0.373
--
3000+
¥0.33
--
30000+
产品参数
产品手册
产品概述

DMG6402LVT-7参数

安装类型表面贴装型不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)30 毫欧 @ 7A,10V
技术MOSFET(金属氧化物)驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)4.5V,10V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)6A(Ta)FET 类型N 通道
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)498pF @ 15VVgs(最大值)±20V
工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)11.4nC @ 10V
漏源电压(Vdss)30V功率耗散(最大值)1.75W(Ta)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)2V @ 250µA

DMG6402LVT-7手册

DMG6402LVT-7概述

DMG6402LVT-7 产品概述

产品简介

DMG6402LVT-7 是一款高性能的 N 通道 MOSFET,属于表面贴装型(SMD)器件,专为各种电源开关和转换应用设计。其最大漏源电压为 30V,额定电流为 6A,具有优异的导通电阻和快速开关特性,适合用于高频率和高效率的电源管理系统。

关键技术参数

  • 安装类型: 表面贴装型 (SMD)
  • 导通电阻: 最大值 30 毫欧(在 7A、10V 时测得),在实际应用中可有效降低能量损耗,提高系统效率。
  • 最高驱动电压: 支持 4.5V 至 10V 的稳定工作条件,使其在多种驱动电压下均能保持良好的导通特性。
  • 持续漏极电流 (Id): 在 25°C 环境温度下,额定漏极电流为 6A,满足多种负载需求。
  • 输入电容 (Ciss): 最大值为 498pF(在 15V 下),为实现快速开关,降低驱动损耗提供了条件。
  • 栅极电压(Vgs)的极限值: ±20V,增强了其抗干扰能力,提高了可靠性。
  • 工作温度范围: 从 -55°C 至 150°C,适用于宽温度环境下的应用。
  • 漏源电压(Vdss): 高达 30V,适合用于中低电压的功率驱动场合。
  • 功率耗散: 最大功率耗散为 1.75W(在环境温度下),确保在较高负载情况下的稳定性。
  • 栅极电荷 (Qg): 最大值为 11.4nC(在 10V 时),有助于提升开关频率和降低开关损失。

应用场景

DMG6402LVT-7 的设计使其适用于多种电子电路:

  1. 电源管理和分配: 作为电源开关,控制电源的开闭,常应用于开关电源、DC-DC 转换器中。
  2. 电机驱动: 在电动机控制系统中,用于实现高效的功率转换和调速。
  3. LED 驱动: 在 LED 照明系统里,作为高效的开关元件提升能量转换效率。
  4. 消费电子: 在各种家用电器和电子产品中,广泛应用于电源电路。

优势

  • 高效能和可靠性: 低导通电阻和高电流承载能力,使其在高效率电源设计中具有优势,能够有效降低热损耗和提升系统的整体稳定性。
  • 稳定性与耐用性: 支持超宽的工作温度范围和高漏源电压,使其在严苛环境条件下仍能保持出色的性能。
  • 小型化设计: TSOT-23-6 封装体积小,适合现代小型化电子设备,进一步提升电路的集成度。

总结

DMG6402LVT-7 以其优异的规格、稳定的性能以及广泛的应用场景,成为电子工程师在设计电源及功率控制电路时的理想选择。该产品不仅能满足电源开关和转换的高效率需求,同时也保证了产品在高温和不同电压条件下的可靠性,是推进现代电子技术发展的重要元件之一。