DMG1013UWQ-7
DMG1013UWQ-7参数
| 漏源电压（Vdss） | 20V | 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 820mA |
| 栅源极阈值电压 | 1V @ 250uA | 漏源导通电阻 | 750mΩ @ 430mA,4.5V |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 310mW | 类型 | P沟道 |
| FET 类型 | P 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 820mA（Ta） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 1.8V，4.5V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 750 毫欧 @ 430mA，4.5V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 1V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | .62nC @ 4.5V | Vgs（最大值） | ±6V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 59.76pF @ 16V | 功率耗散（最大值） | 310mW（Ta） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | SOT-323 | 封装/外壳 | SC-70，SOT-323 |
DMG1013UWQ-7手册
DMG1013UWQ-7概述
DMG1013UWQ-7 产品概述
DMG1013UWQ-7 是一种高性能的 P 通道金属氧化物半导体场效应管（MOSFET），专为低功耗应用而设计。该器件采用 SOT-323 封装，尺寸小巧，适合在空间受限的电路设计中使用。DMG1013UWQ-7 的主要特性包括：漏源电压（Vdss）为 20V、连续漏极电流（Id）为 820mA、栅源极阈值电压（Vgs(th)）为 1V、导通电阻（Rds(on)）为 750mΩ @ 430mA 和 4.5V，这使其在多种应用中都能发挥出色的性能。
电气特性及性能
DMG1013UWQ-7 的漏源电压（Vdss）为 20V，适合用于需要60V以下的低压电源管理、电机控制和开关应用。其连续漏极电流（Id）在 25°C 环境下达 820mA，能够满足多数负载的要求。该 MOSFET 的栅源极阈值电压（Vgs(th)）为 1V @ 250µA，使得其在驱动信号较弱的情况下也能正常导通，具有较高的灵敏度。
在漏源导通电阻方面，DMG1013UWQ-7 的 Rds(on) 在 4.5V 驱动电压下为 750mΩ@430mA，能够有效降低功耗和热量生成，提高电源的效率。这一特性使得该器件广泛应用于高频开关电源和低电压应用中。
驱动与控制特性
DMG1013UWQ-7 的最大 Rds(on) 驱动电压为 1.8V，最小 Rds(on) 驱动电压为 4.5V，适合于多种控制电压环境。此外，器件的栅极电荷（Qg）为 0.62nC @ 4.5V，指示其在开启和关闭时的切换速度较快，有助于提高开关频率，进一步改善系统效率。
温度与功率管理
在工作温度范围方面，该 MOSFET 可以在 -55°C 到 150°C 的环境下无故障运行，适用在恶劣的工业和汽车应用中。最大功率耗散为 310mW（在环境温度 25°C 条件下），能够确保器件即使在轻负载条件下也不会过热，保证系统的稳定性和可靠性。
封装与应用
DMG1013UWQ-7 采用 mainstream 的 SOT-323 封装，约 2.0mm x 3.2mm 的尺寸使其适合表面贴装技术（SMT），在 PCB（印刷电路板）上占用空间小，便于实现高密度设计。产品适合用于便携式设备、LED 驱动、充电电池管理系统、电机驱动、以及一般的开关电供电用途。
总体上，DMG1013UWQ-7 以其高效能、紧凑的封装、优越的电气特性和宽广的工作温度范围，成为现代电子设备设计中一个值得推荐的 P 通道 MOSFET 选择。它能够有效满足多样性的设计需求，并且在实际应用中表现出色，是工程师在电源管理和信号开关方案中的理想选择。