DMG1012T-7
DMG1012T-7参数
| 漏源电压（Vdss） | 20V | 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 630mA |
| 栅源极阈值电压 | 1V @ 250uA | 漏源导通电阻 | 400mΩ @ 600mA,4.5V |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 280mW | 类型 | N沟道 |
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 630mA（Ta） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 1.8V，4.5V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 400 毫欧 @ 600mA，4.5V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 1V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | .74nC @ 4.5V | Vgs（最大值） | ±6V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 60.67pF @ 16V | 功率耗散（最大值） | 280mW（Ta） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | SOT-523 | 封装/外壳 | SOT-523 |
DMG1012T-7手册
DMG1012T-7概述
产品概述：DMG1012T-7 N沟道MOSFET
基本信息
DMG1012T-7 是由DIODES（美台）公司生产的一种高性能N沟道金属氧化物场效应晶体管（MOSFET），采用SOT-523封装，广泛应用于各种电子电路中。其主要电气特征包括：漏源电压（Vdss）为20V，最大连续漏极电流（Id）在25°C时为630mA，适合于中小功率的开关和放大应用。
电气特性
漏源电压（Vdss）: 作为一款低电压MOSFET，DMG1012T-7 的最大漏源电压为20V，使其适用于低电压应用的场合，例如便携式电子设备和低功耗电源管理系统。
连续漏极电流（Id）: 在25°C时的最大漏极电流为630mA，能够承受适度的负载，适合用于电机驱动、电池管理及开关电源等领域。
栅源极阈值电压（Vgs(th)）: 在250µA的条件下，此MOSFET的栅源极阈值电压为1V，低阈值意味着该器件能在较低的栅压下导通，从而适用于低电压驱动的电路。
导通电阻（Rds(on)）: 在4.5V与600mA条件下，导通电阻为400mΩ，良好的导通性能可以有效降低开关损耗，提高整体电路的能效。
功率耗散: 该MOSFET在25°C环境温度下，最大功率耗散为280mW，适合设计紧凑且散热有限的电路。
其他性能参数
工作温度范围: 该器件的工作温度范围广泛，从-55°C到150°C，适合在极端环境条件下的应用，如工业设备和汽车电子。
栅电荷（Qg）: 在4.5V条件下，栅电荷为0.74nC，低栅电荷使得该MOSFET能快速打开和关闭，适合高速开关电路。
输入电容（Ciss）: 最大输入电容为60.67pF，在16V条件下，这使得器件在高频信号下依然保持良好的性能。
栅源电压（Vgs）: 该MOSFET的最大栅源电压为±6V，提供了相对较高的栅控制灵活性，适应各类驱动电路。
应用领域
DMG1012T-7 的特点使其非常适用于多种应用场景，包括但不限于：
- 开关电源：由于其高开关速度和低导通电阻，这款MOSFET在开关电源设计中表现优秀，非常适合用于DC-DC转换器。
- 电池管理系统：可用于电池的充电与放电控制，提供高效的开关能力。
- 小型电机驱动：通过简单的驱动电路，可控制小型电机的启停，广泛应用于机器人、模型车等遥控设备。
- LED驱动：由于其高效的开关特性，适合用于LED灯的驱动，以提高光效与延长寿命。
封装与安装
DMG1012T-7采用SOT-523小型表面贴装封装，适应现代电子产品对小型化和高密度安装的需求。该封装确保了良好的热性能和易于自动化生产的特点。
结论
DMG1012T-7 N沟道MOSFET凭借其优越的电气特性和广泛的应用前景，是当前市场上一款极具竞争力的器件。无论是在低电压控制、开关电源还是电池管理等领域，DMG1012T-7都能为设计工程师提供可靠的解决方案。