额定功率 | 200mW | 集电极电流Ic | 100mA |
集射极击穿电压Vce | 50V | 晶体管类型 | NPN - 预偏压 |
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 100mA | 电压 - 集射极击穿(最大值) | 50V |
电阻器 - 基极 (R1) | 47 kOhms | 电阻器 - 发射极 (R2) | 47 kOhms |
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) | 68 @ 5mA,5V | 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) | 300mV @ 500µA,10mA |
电流 - 集电极截止(最大值) | 500nA | 频率 - 跃迁 | 250MHz |
功率 - 最大值 | 200mW | 安装类型 | 表面贴装型 |
封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | 供应商器件封装 | SOT-23-3 |
DDTC144ECA-7-F 是一款高性能的 NPN 型数字晶体管,专为现代电子电路设计而优化,具有多种应用领域的广泛适用性。该晶体管的额定功率为 200mW,最大集电极电流(Ic)可达 100mA,以及集射极击穿电压(Vce)最高为 50V,使其成为较小信号放大和开关应用的理想选择。
额定功率与电流:DDTC144ECA-7-F 的额定功率为 200mW,能够承受高达 100mA 的集电极电流(Ic),为各种电应用提供了可靠的支持。
击穿电压:集射极击穿电压 Vce 最大值为 50V,这使得该晶体管特别适合用于需要一定电压保护的电路设计。
电流增益:在 5mA 的集电极电流与 5V 的供电条件下,该晶体管提供了至少 68 的直流电流增益(hFE),说明其能够有效地放大输入信号,适合用于信号处理和开关电路中。
饱和压降:在最大 500µA 基极电流及 10mA 集电极电流条件下,饱和压降最大为 300mV,这个低压降特性进一步确保了该元器件在开关状态下所需的能量效率。
截止电流:集电极截止最大电流为 500nA,这意味着在关闭状态下该晶体管的漏电流极低,有助于提升电路的整体性能。
频率特性:该美元晶体管还具有高达 250MHz 的跃迁频率,适合于高频操作的应用场景,如通信设备和高频开关电路。
DDTC144ECA-7-F 的设计采用了表面贴装型封装(SOT-23),使其适合于现代高密度电子装置的布局,减少了电路板的空间占用。该元器件广泛应用于各种电子设备中,包括数字和模拟信号处理、开关模式电源、音频放大器、微控制器的接口电路以及 LED 驱动等。同时,它的预偏压设计使得在工作过程中的开关性能更加稳定,提高了电路的可靠性。
DDTC144ECA-7-F 由知名电子元器件品牌 DIODES(美台)生产,其产品质量具有良好的行业口碑。DIODES 作为一家在全球范围内享有盛誉的半导体制造商,致力于提供高品质、低功耗的电子元件,能够保证客户在产品设计和制造过程中获得最佳性能。
综上所述,DDTC144ECA-7-F 以其卓越的性能参数和可靠的制造质量,成为现代各种电子电路设计中不可或缺的元件。无论是在消费类电子、工业设备,还是在通信系统中,它均可发挥出色的效能。随着技术的不断进步和市场需求的增加,这款 NPN 型数字晶体管将为设计师提供更多的可能性,助力于创新和高效能电路的实现。